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1. (WO2011118726) ネガ型レジスト組成物、並びに、当該レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118726    国際出願番号:    PCT/JP2011/057233
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 24.03.2011
IPC:
G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01)
出願人: DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Ichigaya-kagacho 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKUYAMA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANKE, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKUYAMA, Kenichi; (JP).
KANKE, Satoru; (JP)
代理人: KISHIMOTO, Tatsuhito; c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM, 3rd Floor, Oak Building Kyobashi, 16-10, Kyobashi 1-chome, Chuou-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2010-072178 26.03.2010 JP
2010-216579 28.09.2010 JP
2010-216580 28.09.2010 JP
発明の名称: (EN) NEGATIVE TYPE RESIST COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING RELIEF PATTERN USING THE RESIST COMPOSITION, AND ELECTRONIC PART USING THE RESIST COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE DE TYPE NÉGATIF, PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN MOTIF EN RELIEF À L'AIDE DE LA COMPOSITION DE RÉSERVE, ET PIÈCE ÉLECTRONIQUE UTILISANT LA COMPOSITION DE RÉSERVE
(JA) ネガ型レジスト組成物、並びに、当該レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品
要約: front page image
(EN)Provided are a negative type resist composition, by which a pattern having a high sensitivity, a high resolving power and a low line edge roughness can be obtained in pattern-formation under electron beam- or EUV-irradiation, a method for producing a relief pattern using said resist composition, and an electronic part using said resist composition. The negative type resist composition, which contains a phenolic compound (A) having a molecular weight of 400-2500 and carrying two or more, per molecule, of phenolic hydroxyl groups and one or more, per molecule, of one or more kinds of substituents selected from the group consisting of a hydroxymethyl group and alkoxymethyl groups, said substituents being attached to the ortho-position of the phenolic hydroxyl group, wherein the content of said phenolic compound (A) is equal to or greater than 70 wt% relative to the total solid matters contained in the negative type resist composition.
(FR)La présente invention se rapporte à une composition de réserve de type négatif au moyen de laquelle on peut obtenir un motif ayant une sensibilité élevée, un pouvoir de résolution élevé et une faible rugosité de bord de ligne dans une formation de motif sous un rayonnement ultraviolet extrême (EUV) ou par faisceau d'électrons, à un procédé permettant de produire un motif en relief à l'aide de ladite composition de réserve, et à une pièce électronique utilisant ladite composition de réserve. La composition de réserve de type négatif, qui contient un composé phénolique (A) ayant un poids moléculaire compris entre 400 et 2 500 et supportant, par molécule, deux groupes hydroxyles phénoliques ou plus et, par molécule, un ou plusieurs substituants parmi un ou plusieurs types de substituants sélectionnés dans le groupe constitué par un groupe hydroxyméthyle et des groupes alkoxyméthyles, lesdits substituants étant fixés à la position ortho du groupe hydroxyle phénolique, la teneur dudit composé phénolique (A) est égale ou supérieure à 70 % en poids par rapport au poids total des matières solides contenues dans la composition de réserve de type négatif.
(JA) 電子線又はEUVの照射によるパターン形成において、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるネガ型レジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供する。 フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物(A)を含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物(A)の含有量が70重量%以上である、ネガ型レジスト組成物である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)