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1. (WO2011118686) 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118686    国際出願番号:    PCT/JP2011/057117
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 24.03.2011
IPC:
H01L 41/18 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 41/316 (2013.01), H01L 41/39 (2013.01)
出願人: HITACHI CABLE, LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018971 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIBATA Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUENAGA Kazufumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANABE Kazutoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOMOTO Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HORIKIRI Fumimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIBATA Kenji; (JP).
SUENAGA Kazufumi; (JP).
WATANABE Kazutoshi; (JP).
NOMOTO Akira; (JP).
HORIKIRI Fumimasa; (JP)
代理人: YUI Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
優先権情報:
2010-070361 25.03.2010 JP
発明の名称: (EN) PIEZOELECTRIC THIN-FILM ELEMENT AND PIEZOELECTRIC THIN-FILM DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À COUCHE MINCE PIÉZO-ÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF À COUCHE MINCE PIÉZO-ÉLECTRIQUE
(JA) 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス
要約: front page image
(EN)Disclosed is a piezoelectric thin-film element which includes a substrate (1) and, formed over the substrate (1), a piezoelectric thin film (3) having an alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by the empirical formula (K1-xNax)yNbO3, wherein the piezoelectric thin film (3) has a carbon concentration of 2×1019 per cm3 or less or the piezoelectric thin film (3) has a hydrogen concentration of 4×1019 per cm3 or less.
(FR)La présente invention concerne un élément à couche mince piézo-électrique incluant un substrat (1) et, formée par dessus le substrat (1), une couche mince piézo-électrique (3) de structure de type perovskite à base d'oxyde de niobium alcalin de formule empirique (K1-xNax)yNbO3, la couche mince piézo-électrique (3) présentant une concentration en carbone de 2×1019 par cm3 ou moins, ou la couche mince piézo-électrique (3) présentant une concentration en hydrogène de 4×1019 par cm3 ou moins.
(JA) 基板1と、基板1上に設けられる組成式(K1-xNaNbOで表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜3とを有し、圧電薄膜3の炭素濃度が2×1019/cm以下、あるいは、圧電薄膜3の水素濃度が4×1019/cm以下である圧電薄膜素子である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)