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1. (WO2011118578) 光電変換素子及び撮像素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118578    国際出願番号:    PCT/JP2011/056829
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 22.03.2011
IPC:
H01L 51/42 (2006.01), H01L 31/102 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAWAKI Daigo; (米国のみ).
YOFU Katsuyuki; (米国のみ)
発明者: SAWAKI Daigo; .
YOFU Katsuyuki;
代理人: TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2010-068954 24.03.2010 JP
2010-254264 12.11.2010 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT ANALYSEUR D'IMAGE
(JA) 光電変換素子及び撮像素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion element comprising an organic photoelectric conversion layer, wherein sensitivity degradation due to light irradiation is suppressed. Specifically disclosed is a photoelectric conversion element (100) which is obtained by laminating, on a substrate (101), a first electrode layer (104), a photoelectric conversion layer (15) that contains an organic material, and a second electrode layer (108). The photoelectric conversion layer (15) comprises a bulk heterostructure of a P-type organic semiconductor and an N-type organic semiconductor, and the difference between the ionization potential of the P-type organic semiconductor and the apparent ionization potential of the bulk heterostructure is 0.50 eV or less. Consequently, sensitivity degradation due to light irradiation can be suppressed.
(FR)La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend une couche organique de conversion photoélectrique. Dans ledit élément de conversion photoélectrique, une dégradation de sensibilité en raison d'un rayonnement lumineux est supprimée. La présente invention concerne spécifiquement un élément de conversion photoélectrique (100) qui est obtenu en stratifiant, sur un substrat (101), une première couche électrode (104), une couche de conversion photoélectrique (15) qui contient un matériau organique, et une seconde couche électrode (108). La couche de conversion photoélectrique (15) comprend une hétéro-structure massive d'un semi-conducteur organique de type P et d'un semi-conducteur organique de type N, et la différence entre le potentiel d'ionisation du semi-conducteur organique de type P et le potentiel d'ionisation apparent de l'hétéro-structure massive est égale ou inférieure à 0,50 eV. Par conséquent, la dégradation de sensibilité en raison d'un rayonnement lumineux peut être supprimée.
(JA) 有機光電変換層を備える光電変換素子で、光照射による感度劣化を抑制する。 基板101上に第1電極層104と有機材料を含む光電変換層15と第2電極層108とが積層されてなる光電変換素子100であって、光電変換層15がP型有機半導体とN型有機半導体のバルクへテロ構造体を備え、該P型有機半導体のイオン化ポテンシャルと前記バルクへテロ構造体の見かけのイオン化ポテンシャルとの差が0.50eV以下とする。これにより、光照射による感度劣化を抑制することが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)