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1. (WO2011118571) 光検出器

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118571    国際出願番号:    PCT/JP2011/056814
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 22.03.2011
H01L 31/107 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ITO Kota [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SOGA Mineki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NICLASS Cristiano [CH/CH]; (JP) (米国のみ).
POPOVIC Radivoje [CH/CH]; (CH) (米国のみ).
LANY Marc [CH/CH]; (CH) (米国のみ).
KINDO Toshiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ITO Kota; (JP).
SOGA Mineki; (JP).
NICLASS Cristiano; (JP).
POPOVIC Radivoje; (CH).
LANY Marc; (CH).
KINDO Toshiki; (JP)
代理人: YKI Patent Attorneys; 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
2010-070284 25.03.2010 JP
(JA) 光検出器
要約: front page image
(EN)The disclosed photodetector is provided with an avalanche transistor (12) having: a reference junction structure that has been reverse biased and of which the current gain and temperature characteristics are nearly the same as those of an avalanche photodiode (10); and a current injection junction structure that is forward biased and that injects a reference current to the reference junction structure. By means of controlling the voltage applied to the avalanche photodiode (10) and the reference junction structure in a manner so as to maintain at a predetermined value the gain of the reference current amplified in the reference junction structure, the temperature characteristics of the photodetector, which uses the avalanche effect, are stabilized.
(FR)La présente invention concerne un détecteur optique équipé d'un transistor à effet d'avalanche (12) comportant: une structure de jonction de référence qui a été polarisée en sens inverse et dont les caractéristiques de gain en courant et de température sont plus ou moins les mêmes que celles d'une photodiode à avalanche (10) ; et une structure de jonction d'injection de courant qui est polarisée en sens direct et qui injecte un courant de référence à la structure de jonction de référence. Grâce à la commande de la tension appliquée à la photodiode à avalanche (10) et à la structure de jonction de référence de manière à maintenir à une valeur prédéterminée le gain en courant de référence amplifié dans la structure de jonction de référence, les caractéristiques de température du détecteur optique, qui utilise l'effet avalanche, sont stabilisées.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)