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1. (WO2011118512) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118512    国際出願番号:    PCT/JP2011/056503
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 11.03.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
出願人: ON Semiconductor Trading, Ltd.; c/o Codan Services Limited, Clarendon House, 2 Church Street, Hamilton HM 11, Bermuda (British overseas territory) (BM) (米国を除く全ての指定国).
YONEDA Shuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OIKAWA Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAWAMURA Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YONEDA Shuji; (JP).
OIKAWA Makoto; (JP).
SAWAMURA Kenji; (JP)
代理人: OKADA Kei; 170-1, Hosoya-cho, Ota-city, Gunma 3730842 (JP)
優先権情報:
2010-068349 24.03.2010 JP
発明の名称: (EN) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE
(JA) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
要約: front page image
(EN)In conventional IGBTs, accumulation quantity of holes is maintained by aggressively reducing the area rate of a main cell and suppressing the quantity of holes discharged to the emitter side, and conductivity modulation of a base layer is promoted. There has been, however, a problem of current density reduction due to the reduction of the area ratio of the main cell. Disclosed is an IGBT having a trench cell, wherein the base region is separated in the extending direction of the trench gate such that base regions are disposed in the direction that orthogonally intersects the extending direction of the trench gate. A planar gate is disposed on the drift layer surface between the separated base regions. The gate electrode of the planar gate and the gate electrode of the trench gate are connected on the trench gate.
(FR)Dans des IGBT classiques, une quantité d'accumulation d'orifices est maintenue en réduisant agressivement le taux de superficie d'une cellule principale et en supprimant la quantité d'orifices déchargés vers le côté émetteur, et la modulation de conductivité d'une couche de base est favorisée. Cependant, un problème de réduction de densité de courant en raison de la réduction du rapport de superficie de la cellule principale s'est présenté. La présente invention concerne un IGBT qui comporte une cellule à tranchée, la région de base étant séparée dans la direction d'extension de la grille à tranchée de sorte que des régions de base soient disposées dans la direction qui croise orthogonalement la direction d'extension de la grille à tranchée. Une grille plane est disposée sur la surface de couche de dérive entre les régions de base séparées. L'électrode grille de la grille plane et l'électrode grille de la grille à tranchée sont connectées sur la grille à tranchée.
(JA)従来のIGBTでは、メインセルの面積比率を積極的に減少させて正孔のエミッタ側への排出量を抑制して正孔の蓄積量を保ち、ベース層の伝導度変調を促進していた。しかし、メインセルの面積比率が減少するため、電流密度が低下してしまう問題があった。 トレンチセルを有するIGBTにおいて、ベース領域がトレンチゲートの延在方向と直交する方向に並ぶように、トレンチゲートの延在方向においてベース領域を分離する。分離したベース領域間のドリフト層表面にプレーナゲートを配置する。プレーナゲートのゲート電極とトレンチゲートのゲート電極は、トレンチゲート上で接続させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)