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1. (WO2011118395) 磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118395    国際出願番号:    PCT/JP2011/055552
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 09.03.2011
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKAMI Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAHARA Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKAMI Shunsuke; (JP).
NAGAHARA Kiyokazu; (JP).
SUZUKI Tetsuhiro; (JP)
代理人: KUDOH Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2010-066862 23.03.2010 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) ELÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE MÉMOIRE
(JA) 磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a magnetic memory element provided with: a first magnetization free layer which is constructed from a ferromagnetic body having perpendicular magnetic anisotropy; a reference layer which is provided near the first magnetization free layer; a non-magnetic layer which is provided adjacent to the reference layer; and a step formation layer which is provided under the first magnetization free layer. The first magnetization free layer is provided with: a first magnetization fixed region which has magnetization fixed therein; a second magnetization fixed region which has magnetization fixed therein; and a magnetization free region which is connected to the first magnetization fixed region and the second magnetization fixed region. The first magnetization free layer has at least one from among a step, a groove, and a projection.
(FR)Un élément de mémoire magnétique de l'invention est pourvu : d'une première couche exempte de magnétisation qui est construite à partir d'un corps ferromagnétique ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire ; d'une couche de référence qui est prévue à proximité de la première couche exempte de magnétisation ; d'une couche non magnétique qui est prévue adjacente à la couche de référence ; et d'une couche de formation de gradin qui est prévue sous la première couche exempte de magnétisation. La première couche exempte de magnétisation est pourvue : d'une première région fixée de magnétisation dont la magnétisation est fixée ; d'une seconde région fixée de magnétisation dont la magnétisation est fixée ; et d'une région exempte de magnétisation qui est connectée à la première région fixée de magnétisation et à la seconde région fixée de magnétisation. La première couche exempte de magnétisation comporte au moins l'un d'un gradin, d'une rainure et d'une protubérance.
(JA) 磁気メモリ素子は、垂直磁気異方性を有する強磁性体で構成された第1磁化自由層と、第1磁化自由層の近傍に設けられたリファレンス層と、リファレンス層に隣接して設けられた非磁性層と、第1磁化自由層の下方に設けられた段差形成層とを具備する。第1磁化自由層は、磁化が固定された第1磁化固定領域と、磁化が固定された第2磁化固定領域と、第1磁化固定領域と第2磁化固定領域に接続された磁化自由領域とを備える。第1磁化自由層内は段差、溝、突起のうちの少なくとも一つを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)