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1. (WO2011118343) 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118343    国際出願番号:    PCT/JP2011/054494
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 28.02.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA Corporation [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMADA Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA Isamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INAI Seiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMADA Kazuki; (JP).
TANAKA Isamu; (JP).
INAI Seiichiro; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg. 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2010-069761 25.03.2010 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a photoelectric conversion device, the conversion efficiency of which is improved, and a method for manufacturing the photoelectric conversion device. The photoelectric conversion device includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. In the photoelectric conversion device, the first semiconductor layer has one principal surface on which a plurality of projections are scattered, includes a I-III-VI group compound semiconductor, and has a first conduction type. The second semiconductor layer is disposed on said one principal surface, has a thickness in the normal line direction of said one principal surface, and has a second conduction type different from the first conduction type. Further, a first distance along which each of the projections is projected in the normal line direction is longer than a second distance along which the second semiconductor layer is provided in the normal line direction.
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique dont le rendement de conversion est amélioré, ainsi qu'un procédé de fabrication du dispositif de conversion photoélectrique. Le dispositif de conversion photoélectrique comprend une première couche en semiconducteur et une deuxième couche en semiconducteur. Dans le dispositif de conversion photoélectrique, la première couche en semiconducteur présente une surface principale sur laquelle est dispersée une pluralité de projections, comprend un semiconducteur composite du groupe I-III-VI, et possède un premier type de conduction. La deuxième couche en semiconducteur est disposée sur ladite surface principale et a une épaisseur dans la direction de la ligne normale de ladite surface principale et possède un deuxième type de conduction différent du premier type de conduction. De plus, une première distance le long de laquelle est projetée chacune des projections dans la direction de la ligne normale est plus grande qu'une deuxième distance le long de laquelle se trouve la deuxième couche en semiconducteur dans la direction de la ligne normale.
(JA) 変換効率を向上させた光電変換装置ならびその製造方法を提供することを図る。この目的を達成するために、第1半導体層と、第2半導体層とを備える光電変換装置が採用される。そして、この光電変換装置では、第1半導体層は、複数の突起部が点在している一主面を有し、I-III-VI族化合物半導体を含み、且つ第1の導電型を有している。また、第2半導体層は、該一主面上に配され、該一主面の法線方向に厚さを有し、且つ上記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有している。さらに、各突起部が上記法線方向に突起している第1距離は、第2半導体層が上記法線方向に設けられている第2距離よりも長くなっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)