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1. (WO2011118203) 化合物半導体粒子組成物、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118203    国際出願番号:    PCT/JP2011/001687
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 23.03.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KURARAY Co., Ltd. [JP/JP]; 1621, Sakazu, Kurashiki-shi, Okayama 7100801 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOMIYA, Ryota [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANO, Kirihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIBUYA, Hiromasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUDO, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUURA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSURUTA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOMIYA, Ryota; (JP).
NAKANO, Kirihiro; (JP).
SHIBUYA, Hiromasa; (JP).
KUDO, Hidetoshi; (JP).
MATSUURA, Kazuhiko; (JP).
SASAKI, Shigeru; (JP).
TSURUTA, Hitoshi; (JP)
代理人: IEIRI, Takeshi; HIBIKI IP Law Firm, Asahi Bldg. 10th Floor, 3-33-8, Tsuruya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210835 (JP)
優先権情報:
2010-065467 23.03.2010 JP
2011-055789 14.03.2011 JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR PARTICLE COMPOSITION, COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR SAME, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND SOLAR CELL
(FR) COMPOSITION DE PARTICULES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, FILM SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON PROCÉDÉ, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 化合物半導体粒子組成物、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池
要約: front page image
(EN)Disclosed is a chalcopyrite compound semiconductor particle composition which can increase the photoelectric conversion efficiency of a compound semiconductor film. The disclosed compound semiconductor particle composition comprises: particles (A) which are formed from a plurality of at least one kind of semiconductor particles, and which have a number average particle diameter of 100nm or more, as calculated with a transmission electron microscope; and filling (B), which is formed from a plurality of at least one kind of semiconductor particles, is formed from particles (BX) which have a smaller number average particle diameter than particles (A) as calculated with a transmission electron microscope, and/or a non-solid semiconductor precursor composition (BY) which forms a solid semiconductor on heating. Both (A) and (B) are formed from chalcopyrite compound semiconductors each represented by the general formula below, and filling (B) fills in the gaps between particles (A). (i) LMX2 (therein, L represents at least one kind of group IB element, M represents at least one kind of IIIB group, and X represents at least one kind of VIB group).
(FR)La présente invention a trait à une composition de particules de semi-conducteur composé de chalcopyrite qui permet d'augmenter l'efficacité de conversion photoélectrique d'un film semi-conducteur composé. La composition de particules de semi-conducteur composé selon la présente invention comprend : des particules (A) qui sont formées à partir d'une pluralité d'au moins un type de particules de semi-conducteur et qui ont un diamètre moyen des particules supérieur ou égal à 100 nm, tel que calculé au moyen d'un microscope électronique en transmission ; et un matériau de remplissage (B), qui est formé à partir d'une pluralité d'au moins un type de particules de semi-conducteur, est constitué de particules (BX) qui ont un diamètre moyen des particules inférieur à celui des particules (A) tel que calculé au moyen d'un microscope électronique en transmission, et/ou d'une composition de précurseur de semi-conducteur non solide (BY) qui forme un semi-conducteur solide lorsqu'elle est chauffée. (A) et (B) sont formés à partir de semi-conducteurs composés de chalcopyrite chacun étant représenté par la formule générale ci-dessous, et le matériau de remplissage (B) remplit les espaces entes les particules (A). (i) LMX2 (où, L représente au moins un type d'élément de groupe IB, M représente au moins un type de groupe IIIB, et X représente au moins un type de groupe VIB).
(JA) 化合物半導体膜の光電変換効率の向上を図ることが可能なカルコパイライト系の化合物半導体粒子組成物を提供する。本発明の化合物半導体粒子組成物は、各々が下記一般式で表されるカルコパイライト系化合物半導体(i)からなる少なくとも1種の複数の半導体粒子からなり、透過型電子顕微鏡より算出された数平均粒径が100nm以上である粒子群(A)と、少なくとも1種の複数の半導体粒子からなり、透過型電子顕微鏡より算出された数平均粒径が粒子群(A)より小さい粒子群(BX)、及び/又は、加熱により固体半導体となる非固形の半導体前駆体組成物(BY)からなり、粒子群(A)の間隙を埋める充填物(B)とを含むものである。 LMX(ここで、Lは少なくとも1種のIB族元素、Mは少なくとも1種のIIIB族、Xは少なくとも1種のVIB族を各々示す。)・・・(i)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)