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1. (WO2011118197) 光電変換素子、光センサ及び太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118197    国際出願番号:    PCT/JP2011/001662
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 22.03.2011
IPC:
H01M 14/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MAEDA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHARA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGURO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Shin; (JP).
MAEDA, Katsumi; (JP).
NAKAHARA, Kentaro; (JP).
SUGURO, Masahiro; (JP)
代理人: HAYAMI, Shinji; Gotanda TG Bldg. 9F, 9-2, Nishi-Gotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2010-067282 24.03.2010 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, LIGHT SENSOR AND SOLAR CELL
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, CAPTEUR OPTIQUE ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 光電変換素子、光センサ及び太陽電池
要約: front page image
(EN)A problem is to provide a photoelectric conversion element that has a good photoelectric conversion rate and is durable. Disclosed are a photoelectric conversion element that includes a semiconductor electrode (70) having a porous semiconductor layer (30) absorbing a pigment (40), an opposing electrode (60) disposed opposite to the semiconductor layer (30) of the semiconductor electrode (70), and an electrolyte (50) containing a radical compound whose average molecular weight is 200 or more, positioned between the semiconductor electrode (70) and the opposing electrode (60).
(FR)La présente invention a pour objet de fournir un élément de conversion photoélectrique qui est doté d'un bon taux de conversion photoélectrique et qui est durable. La présente invention a trait à un élément de conversion photoélectrique qui inclut une électrode semi-conductrice (70) dotée d'une couche semi-conductrice poreuse (30) absorbant un pigment (40), une électrode opposée (60) disposée à l'opposé de la couche semi-conductrice (30) de l'électrode semi-conductrice (70), et un électrolyte (50) contenant un composé radical dont la masse moléculaire moyenne est supérieure ou égale à 200, placé entre l'électrode semi-conductrice (70) et l'électrode opposée (60).
(JA)本発明では、良好な光電変換効率を有するとともに、耐久性を有する光電変換素子を提供することを課題とする。当該課題を解決するために、色素(40)が吸着している多孔質の半導体層(30)を有する半導体電極(70)と、半導体電極(70)の半導体層(30)に対向して設けられる対向電極(60)と、平均分子量が200以上のラジカル化合物を含有し、半導体電極(70)および対向電極(60)との間に位置する電解質(50)と、を有する光電変換素子を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)