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1. (WO2011118093) 圧電薄膜素子及びそれを備えた圧電薄膜デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118093    国際出願番号:    PCT/JP2010/072124
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 09.12.2010
IPC:
H01L 41/18 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/316 (2013.01)
出願人: HITACHI CABLE, LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018971 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUENAGA Kazufumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIBATA Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOMOTO Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUENAGA Kazufumi; (JP).
SHIBATA Kenji; (JP).
SATO Hideki; (JP).
NOMOTO Akira; (JP)
代理人: YUI Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
優先権情報:
2010-065788 23.03.2010 JP
発明の名称: (EN) PIEZOELECTRIC THIN-FILM ELEMENT AND PIEZOELECTRIC THIN-FILM DEVICE EQUIPPED WITH SAME
(FR) ELÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE À COUCHES MINCES ÉQUIPÉ DE CELUI-CI
(JA) 圧電薄膜素子及びそれを備えた圧電薄膜デバイス
要約: front page image
(EN)Disclosed is a piezoelectric thin-film element which comprises a substrate and, superposed thereon, at least a lower electrode, a piezoelectric thin film represented by the general formula (NaxKyLiz)NbO3 (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤0.2, and x+y+z=1), and an upper electrode, characterized in that the piezoelectric thin film has a crystal structure constituted of any one of quasi-cubic, tetragonal, and orthorhombic systems or has a crystal structure in which at least two of quasi-cubic, tetragonal, and orthorhombic systems are coexistent, that up to two of the crystallographic axes have been oriented preferentially in specific axial directions, and that the angle between at least one of the oriented crystallographic axes and the normal line to the substrate surface is within the range of 0-10º.
(FR)La présente invention a trait à un élément piézoélectrique à couches minces qui comprend un substrat et, superposé sur celui-ci, au moins une électrode inférieure, une couche mince piézoélectrique représentée par la formule générale (NaxKyLiz)NbO3 (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 0,2 et x + y + z = 1), et une électrode supérieure, caractérisé en ce que la couche mince piézoélectrique est dotée d'une structure cristalline constituée de l'un quelconque des systèmes parmi les systèmes quasiment cubiques, quadratiques et orthorhombiques ou est dotée d'une structure cristalline où coexistent au moins deux des systèmes parmi les systèmes quasiment cubiques, quadratiques et orthorhombiques, en ce que jusqu'à deux des axes cristallographiques ont été orientés de préférence dans des directions axiales spécifiques, et en ce que l'angle entre au moins un des axes cristallographiques orientés et la ligne perpendiculaire à la surface du substrat est compris à l'intérieur de la plage allant de 0 à 10º.
(JA) 基板上に少なくとも下部電極、一般式(NaxyLiz)NbO3(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦0.2、x+y+z=1)で表される圧電薄膜、及び上部電極を積層した圧電薄膜素子であって、前記圧電薄膜が、擬立方晶、正方晶または斜方晶のいずれか一つの結晶構造を有するか、若しくは擬立方晶、正方晶または斜方晶の少なくとも二つが共存した結晶構造を有しており、それら結晶軸のうち2軸以下のある特定の軸に優先的に配向しており、かつ前記配向している結晶軸のうち少なくとも1つの結晶軸と、前記基板表面の法線とのなす角度が、0°から10°の範囲内にあることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)