WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011117949) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/117949    国際出願番号:    PCT/JP2010/007267
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 15.12.2010
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHTSUKI, Hirohisa; (米国のみ)
発明者: OHTSUKI, Hirohisa;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2010-066800 23.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF ANALYSEUR D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solid-state image pickup device (100) which has high S/N ratio. The solid-state image pickup device (100) comprises a photodiode (105), a transfer transistor (106), a floating diffusion (110), a floating diffusion wiring line (111), an amplifier transistor (107), a power supply line (112), and a first output signal line (109). The first output signal line (109) is formed in the same layer on a semiconductor substrate, in said layer the floating diffusion wiring line (111) being formed, so as to sandwich the floating diffusion wiring line (111). The power supply line (112) is formed above the floating diffusion wiring line (111).
(FR)La présente invention a trait à un dispositif analyseur d'images à semi-conducteur (100) qui est doté d'un rapport signal sur bruit élevé. Le dispositif analyseur d'images à semi-conducteur (100) comprend une photodiode (105), un transistor de transfert (106), une diffusion flottante (110), une ligne de câblage de diffusion flottante (111), un transistor amplificateur (107), une ligne d'alimentation électrique (112) et une première ligne de signal de sortie (109). La première ligne de signal de sortie (109) est formée dans la même couche sur un substrat semi-conducteur, la ligne de câblage de diffusion flottante (111) étant formée dans ladite couche, de manière à prendre en sandwich la ligne de câblage de diffusion flottante (111). La ligne d'alimentation électrique (112) est formée au-dessus de la ligne de câblage de diffusion flottante (111).
(JA) 高いS/Nを実現した固体撮像装置(100)を提供する。固体撮像装置(100)は、フォトダイオード(105)と、転送トランジスタ(106)と、フローティングディフュージョン(110)と、フローティングディフュージョン配線(111)と、増幅トランジスタ(107)と、電源線(112)と、第1出力信号線(109)とを備え、第1出力信号線(109)は、半導体基板上のフローティングディフュージョン配線(111)が形成された層と同一の層に、フローティングディフュージョン配線(111)を挟んで両側に形成され、電源線(112)は、フローティングディフュージョン配線(111)の上方に形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)