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1. (WO2011115197) 透明導電性炭素膜の製造方法及び透明導電性炭素膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/115197    国際出願番号:    PCT/JP2011/056352
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 17.03.2011
IPC:
C23C 16/26 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
出願人: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIM Jaeho [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIHARA Masatou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOGA Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUGAWA Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASEGAWA Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IIJIMA Sumio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA Takatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIM Jaeho; (JP).
ISHIHARA Masatou; (JP).
KOGA Yoshinori; (JP).
TSUGAWA Kazuo; (JP).
HASEGAWA Masataka; (JP).
IIJIMA Sumio; (JP).
YAMADA Takatoshi; (JP)
代理人: ETO Yasuko; KYOBASHI PATENT OFFICE, Kyobashi-toei building 7th Floor, 14-4, kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2010-060055 17.03.2010 JP
2010-200901 08.09.2010 JP
2011-009616 20.01.2011 JP
2011-041749 28.02.2011 JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE CARBON FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE CARBON FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UNE COUCHE DE CARBONE CONDUCTRICE TRANSPARENTE ET COUCHE DE CARBONE CONDUCTRICE TRANSPARENTE
(JA) 透明導電性炭素膜の製造方法及び透明導電性炭素膜
要約: front page image
(EN)The disclosed method for the formation of a transparent conductive carbon film solves the problems of high temperature processing and long processing times, which are issues in graphene film deposition by thermal CVD, and uses a crystalline carbon film formed at lower temperatures and in less time using a graphene film. The disclosed method is characterised in that: the substrate temperature is set to 500°C or less; the pressure is set to 50 Pa or less; and a transparent conductive carbon film is deposited on the substrate surface of a copper or aluminium thin film by a microwave surface-wave plasma CVD process under a gas atmosphere in which an oxidation inhibitor for inhibiting the oxidation of the substrate surface is added to a mixed gas comprising a carbon-containing gas and an inert gas as an additive gas.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour la formation d'une couche de carbone conductrice transparente qui permet de résoudre le problème de traitement à haute température et de longues durées de traitement, qui sont des problèmes dans le dépôt de couche de graphène par CVD thermique, et qui utilise une couche de carbone cristalline formée à de plus basses températures et en moins de temps à l'aide d'une couche de graphène. Le procédé de l'invention est caractérisé en ce que : la température du substrat est réglée à une valeur inférieure ou égale à 500°C, la pression est réglée à une valeur inférieure ou égale à 50 Pa; et une couche de carbone conductrice transparente est déposée sur la surface du substrat d'une couche mince de cuivre ou d'aluminium par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma d'onde de surface micro-onde sous une atmosphère gazeuse dans laquelle un inhibiteur d'oxydation pour l'inhibition de l'oxydation de la surface du substrat est ajouté à un gaz mélangé comprenant un gaz contenant du carbone et un gaz inerte comme gaz additif.
(JA) 熱CVDによるグラフェン膜成膜の課題である、高温プロセスであり、かつプロセス時間が長いという問題を解決し、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供することを目的とするものであって、本発明の方法は、基材温度を500℃以下、圧力を50Pa以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマCVD法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)