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1. (WO2011115188) 抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/115188    国際出願番号:    PCT/JP2011/056302
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 16.03.2011
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01L 27/28 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TADA, Munehiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAMOTO, Koichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Toshitsugu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HADA, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TADA, Munehiro; (JP).
OKAMOTO, Koichiro; (JP).
SAKAMOTO, Toshitsugu; (JP).
HADA, Hiromitsu; (JP)
代理人: KATO, Asamichi; c/o A. Kato & Associates, 20-12, Shin-Yokohama 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
2010-064689 19.03.2010 JP
発明の名称: (EN) VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE ELEMENT AND THE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT LEDIT ÉLÉMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE L'ÉLÉMENT ET DU DISPOSITIF
(JA) 抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a variable resistance element which can operate at a low voltage, while maintaining a low leak current. The variable resistance element includes a first electrode (101), a second electrode (103), and an ion conduction layer (102), which is provided between the first electrode and the second electrode. The ion conduction layer contains an organic oxide that contains at least oxygen and carbon, and the carbon concentration distribution in the ion conduction layer is configured such that the carbon concentration on the side (102a) close to the first electrode is higher than that on the side (102b) close to the second electrode.
(FR)L'invention concerne un élément à résistance variable qui peut fonctionner à basse tension tout en maintenant un faible courant de fuite. Ledit élément comprend une première électrode (101), une deuxième électrode (103) et une couche de conduction ionique (102) disposée entre la première et la deuxième électrode. La couche de conduction ionique contient un oxyde organique qui renferme au moins de l'oxygène et du carbone. La distribution de la concentration de carbone dans la couche de conduction ionique est configurée pour que la concentration de carbone sur le côté (102a) proche de la première électrode soit supérieure à celle sur le côté (102b) proche de la deuxième électrode.
(JA) リーク電流を低く維持したまま、低電圧化を可能にした抵抗変化素子を提供する。第1の電極(101)及び第2の電極(103)と、該第1の電極及び該第2の電極の間に設けられたイオン伝導層(102)と、を含む抵抗変化素子であって、該イオン伝導層は少なくとも酸素及び炭素を含む有機系酸化物を含み、該イオン伝導層中の炭素濃度分布が、該第1の電極に近い側(102a)の炭素濃度が該第2の電極に近い側(102b)の炭素濃度に比べて大きくなるように構成されている。(図1)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)