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1. (WO2011115171) 光吸収材料およびそれを用いた光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/115171    国際出願番号:    PCT/JP2011/056211
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 16.03.2011
予備審査請求日:    27.10.2011    
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1, Matsugasaki Hashikami-cho, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SONODA, Saki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASAKI, Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKENAGA, Mutsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SONODA, Saki; (JP).
KATO, Junichi; (JP).
KAWASAKI, Osamu; (JP).
TAKENAGA, Mutsuo; (JP)
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2010-062895 18.03.2010 JP
2010-062901 18.03.2010 JP
発明の名称: (EN) LIGHT-ABSORBING MATERIAL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT USING SAME
(FR) MATÉRIAU ABSORBEUR DE LUMIÈRE ET ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 光吸収材料およびそれを用いた光電変換素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a new light-absorbing material that can increase the conversion efficiency of a solar cell. Further disclosed is a photoelectric conversion element using same. The light-absorbing material comprises a nitride compound semiconductor—which is a compound semiconductor represented by Al1-yGayN (0 ≤ y ≤ 1) of which a portion of the Al and/or Ga has been replaced by a 3d transition metal—has at least one impurity band, and has an optical absorption coefficient of at least 1000 cm-1 in the entire wavelength region that is between 300 nm and 1500 nm, inclusive.
(FR)La présente invention concerne un nouveau matériau absorbeur de lumière qui peut augmenter l'efficacité de conversion d'une pile photovoltaïque. La présente invention concerne en outre un élément de conversion photoélectrique qui utilise ledit matériau. Le matériau absorbeur de lumière comprend un semi-conducteur à base de composé nitrure, qui est un semi-conducteur à base de composé représenté par Al1-yGayN (0 ≤ y ≤ 1) dont une partie du Al et/ou du Ga a été remplacée par un troisième métal de transition, et qui présente au moins une bande d'impuretés et un coefficient d'absorption optique d'au moins 1 000 cm-1 dans la totalité de la région de longueur d'onde qui se situe entre 300 nm et 1 500 nm inclus.
(JA) 太陽電池の変換効率を向上させることの可能な、新たな光吸収材料およびそれを用いた光電変換素子を提供する。本発明の光吸収材料は、Al1-yGaN(0≦y≦1)で表される化合物半導体のAlおよび/またはGaの一部が3d遷移金属で置換された窒化物系化合物半導体からなり、1以上の不純物バンドを有するものであり、波長領域1500nm以下、300nm以上の全波長領域における光吸収係数が1000cm-1以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)