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1. (WO2011115157) レジスト除去装置及びレジスト除去方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/115157    国際出願番号:    PCT/JP2011/056170
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 16.03.2011
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Iwatani Corporation [JP/JP]; 6-4, Hommachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP) (米国を除く全ての指定国).
DOBASHI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUSE, Takashi [JP/US]; (US) (米国のみ)
発明者: DOBASHI, Kazuya; (JP).
FUSE, Takashi; (US)
代理人: KOHNO, Takao; KOHNO PATENT OFFICE, 4-3, Tsuriganecho 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400035 (JP)
優先権情報:
2010-062769 18.03.2010 JP
発明の名称: (EN) RESIST REMOVAL DEVICE AND RESIST REMOVAL METHOD
(FR) DISPOSITIF D'ÉLIMINATION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE RÉSERVE
(JA) レジスト除去装置及びレジスト除去方法
要約: front page image
(EN)Provided is a resist removal device that enables resist to be removed more effectively than conventional resist removal methods that use solvents, without oxidizing the substrate material other than the resist. A resist removal device, which removes resist from a wafer on which a resist film has been formed, is provided with a cluster spraying means (3) which sprays a wafer (W) with clusters, each cluster comprising a plurality of organic solvent molecules.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'élimination de réserve qui permet d'enlever une réserve plus efficacement que les procédés d'élimination de réserve classiques qui utilisent des solvants, sans oxyder le matériau substrat autre que la réserve. De façon spécifique, l'invention porte sur un dispositif d'élimination de réserve, qui enlève la réserve d'une tranche sur laquelle un film de réserve a été formé, doté d'un moyen de pulvérisation d'agrégats (3) qui pulvérise des agrégats sur une tranche (W), chaque agrégat comprenant une pluralité de molécules de solvant organique.
(JA) レジスト以外の基板材料を酸化させること無く、溶剤を用いた従来のレジスト除去方法に比べてレジストを効果的に除去することができるレジスト除去装置を提供することにある。 レジストを成膜したウェハWからレジストを除去するレジスト除去装置に、有機系溶剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハWに噴射するクラスター噴射手段3を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)