WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011115126) 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/115126    国際出願番号:    PCT/JP2011/056088
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 15.03.2011
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
INOMATA Hiroshi; (米国のみ)
発明者: INOMATA Hiroshi;
代理人: TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2010-061622 17.03.2010 JP
2011-003499 11.01.2011 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, PRODUCTION METHOD FOR SAME, AND IMAGE CAPTURE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR DE CAPTURE D'IMAGE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
要約: front page image
(EN)The disclosed solid-state image capture element enables improved reliability and manufacturing yield without increasing manufacturing costs. The solid-state image capture element has photoelectric conversion units which are arranged in a two-dimensional array above a semiconductor substrate (121), and which comprise a pixel electrode film (125), a facing electrode film (131) which faces the pixel electrode film (125), and a light receiving layer (130) which is sandwiched between the pixel electrode film (125) and the facing electrode film (131). The solid-state image capture element is provided with: signal read-out circuits, which are provided on the semiconductor substrate (121) so as to correspond with each photoelectric conversion unit, and which read out signals that correspond to an electric charge amount generated by the light receiving layer (130) and transferred to the pixel electrode film (125); and test terminals (114a, b) which are arranged on the outer-side of the region where the pixel electrode film (125) is arranged, are formed from the same material and on the same surface as the pixel electrode film (125), and which are for inspecting the photoelectric conversion units. At a stage during the manufacture of this solid-state image capture element, inspection of the light-receiving layer (130) is carried out with the test terminals (114a, b), and if determined to be defective, the subsequent manufacturing steps are not continued with.
(FR)L'élément à semi-conducteur de capture d'image de l'invention permet d'améliorer la fiabilité et d'accroître le rendement de la fabrication sans grever les coûts de production. Cet élément à semi-conducteur de capture d'image comprend des éléments de conversion photoélectriques qui sont agencés dans un ensemble bidimensionnel au-dessus d'un substrat semi-conducteur (121), et qui comprennent un film d'électrode de pixels (125) et un film d'électrode (131) faisant face au film (125) entre lesquels est disposée une couche photo-réceptrice (130). L'élément à semi-conducteur de capture d'image comprend : des circuits de lecture de signaux situés sur le substrat semi-conducteur (121) de manière à correspondre à chaque unité de conversion photoélectrique et à lire les signaux correspondant à une charge électrique donnée générée par la couche photo-réceptrice (130), signaux qui sont transférés vers le film d'électrode de pixels (125); et des bornes de test (114a, b) qui sont situées sur le bord extérieur de la région où est disposé le film d'électrode de pixels, sont réalisées dans le même matériau et sur la même surface que le film d'électrode de pixels (125) et servent à contrôler les unités de conversion photoélectrique. A un stade donné de la fabrication de l'élément à semi-conducteur de capture d'image, la couche photo-réceptrice (130) est contrôlée au moyen des bornes de test (114a, b). Si cette couche s'avère défectueuse, les opérations de fabrication cessent.
(JA) 固体撮像素子の信頼性や製造歩留まりを、製造コストを上昇させずに向上する。 画素電極膜125と、画素電極膜125に対向する対向電極膜131と、画素電極膜125と対向電極膜131とで挟まれる受光層130とを含む光電変換部を、半導体基板121上方に二次元アレイ状に配置した固体撮像素子は、半導体基板121に各光電変換部に対応して設けられ、受光層130で発生して画素電極膜125に移動した電荷量に応じた信号を読み出す信号読出回路と、画素電極膜125が配置される領域の外側に配置され、画素電極膜125と同一面上にかつ同一材料で形成された前記光電変換部を検査するためのテスト用端子114a,bとを備える。この固体撮像素子の製造途中の段階でテスト用端子114a,bで受光層130の検査を行い、不良品と判定したときは以後の製造工程の継続を中止する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)