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World Intellectual Property Organization
1. (WO2011114960) 成膜方法及び成膜装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/114960    国際出願番号:    PCT/JP2011/055480
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 09.03.2011
C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYOSHI Hidenori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITOH Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYOSHI Hidenori; (JP).
ITOH Hitoshi; (JP).
SATO Hiroshi; (JP)
代理人: WATANABE Kazuhiro; 703, Hattori-Sagamihara Bldg., 13-2, Sagamihara 2-chome, Chuo-ku, Sagamihara-shi, Kanagawa 2520231 (JP)
2010-058592 16.03.2010 JP
2011-023031 04.02.2011 JP
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a film forming method which comprises: a step wherein a wafer (W) that is provided with an insulating film is arranged within a process chamber (1) of a film forming apparatus (100); a surface modification step wherein a gas of a compound such as TEOS that contains silicon atoms and an OH group-donating gas such as water vapor are supplied into the process chamber (1) so that Si-OH groups are formed on the surface of the insulating film; and a film formation step wherein a film formation gas that contains a manganese-containing material is supplied into the process chamber (1) so that a manganese-containing film is formed on the surface of the insulating film on which the Si-OH groups have been formed by a CVD method. In the surface modification step, the gas of a compound that contains silicon atoms and the OH group-donating gas may be supplied into the process chamber (1) simultaneously or alternately.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film qui comprend : une étape dans laquelle une tranche (W) qui est dotée d'un film isolant est disposée à l'intérieur d'une chambre de traitement (1) d'un appareil de formation de film (100) ; une étape de modification de surface, dans laquelle un gaz d'un composé tel que TEOS qui contient des atomes de silicium et un gaz donneur de groupes hydroxy (OH) tel que de la vapeur d'eau sont introduits dans la chambre de traitement (1) de telle sorte que des groupes Si-OH sont formés à la surface du film isolant ; et une étape de formation de film, dans laquelle un gaz de formation de film qui contient une matière à teneur en manganèse est introduite dans la chambre de traitement (1) de telle sorte qu'un film à teneur en manganèse est formé sur la surface du film isolant sur lequel les groupes Si-OH ont été formés par un procédé de déposition en phase vapeur par procédé chimique (CVD). Dans l'étape de modification de surface, le gaz d'un composé qui contient des atomes de silicium et le gaz donneur de groupes OH peuvent être introduits dans la chambre de traitement (1) simultanément ou alternativement.
(JA) 成膜方法は、成膜装置100の処理容器1内に、絶縁膜が設けられたウエハWを配置する工程と、処理容器1内にTEOSなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのOH基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にSi-OH基を形成させる表面改質工程と、処理容器1内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、CVD法によりSi-OH基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。表面改質工程では、シリコン原子を含む化合物のガスと、OH基供与性ガスを、処理容器内に同時に供給してもよいし、交互に供給してもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)