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1. (WO2011114885) 電子材料の洗浄方法および洗浄システム

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/114885    国際出願番号:    PCT/JP2011/054739
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 02.03.2011
H01L 21/304 (2006.01), B08B 3/08 (2006.01), B08B 3/10 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: KURITA WATER INDUSTRIES LTD. [JP/JP]; 4-7, Nishi-Shinjuku 3-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1608383 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAKAWA Haruyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOKOSHIMA Hiroto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAKAWA Haruyoshi; (JP).
代理人: HAYAKAWA, Yuzi; Sansui Patent Firm, 4th Floor, Akasaka Wing Bldg., 6-6-15, Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
2010-057246 15.03.2010 JP
(JA) 電子材料の洗浄方法および洗浄システム
要約: front page image
(EN)The disclosed electronic material cleaning system is provided with a chemical cleaning means (1), a wet cleaning means (2), and a single wafer cleaning device (3). The chemical cleaning means (1) has: a functional chemical storage tank (6); and an electrolytic reaction device (8) that is connected to the functional chemical storage tank (6) via a concentrated sulfuric acid electrolytic line (7). The functional chemical storage tank (6) is able to supply a functional chemical (W1) to the single safer cleaning device (3) via a functional chemical supply line (10). The wet cleaning means (2) is provided with: a nitrogen gas supply line (22) that interconnects a purified water supply line (21) and a nitrogen gas source; and an internally mixing two-fluid nozzle (23) connected to each of the purified water supply line (21) and the nitrogen gas supply line (22). Droplets (W2) formed from nitrogen gas and purified water are able to be sprayed from the end of the two-fluid nozzle (23). As a result of this electronic material cleaning system, the time required for a resist-stripping treatment of an electronic material is shortened, and furthermore it is possible to reliably eliminate resist residue in a short period of time by means of wet cleaning after resist stripping.
(FR)L'invention concerne un système de nettoyage de matériaux électroniques équipé d'un moyen de nettoyage chimique (1), d'un moyen de nettoyage humide (2), et d'un dispositif unique de nettoyage de plaquettes (3). Le moyen de nettoyage chimique (1) comporte un réservoir de stockage de produit chimique fonctionnel (6), et un dispositif de réaction électrolytique (8) raccordé au réservoir de stockage de produit chimique fonctionnel (6) par une ligne électrolytique d'acide sulfurique concentré (7). Le réservoir de stockage de produit chimique fonctionnel (6) permet d'introduire un produit chimique fonctionnel (W1) dans le dispositif unique de nettoyage de plaquettes (3) par une ligne d'alimentation en produit chimique fonctionnel (10). Le moyen de nettoyage humide (2) est équipé d'une ligne d'alimentation en azote gazeux (22) qui couple une ligne d'alimentation en eau purifiée (21) et une source d'azote gazeux, et une buse à deux fluides à mélange interne (23) reliée à la ligne d'alimentation en eau purifiée (21) et à la ligne d'alimentation en azote gazeux (22). Des gouttelettes (W2) formées à partir de l'azote gazeux et de l'eau purifiée peuvent être projetées depuis l'extrémité de la buse à deux fluides (23). Ce système de nettoyage de matériaux électroniques permet de réduire le temps nécessaire au traitement de décapage de la résine photosensible d'un matériau électronique, et d'éliminer de façon sûre et rapide les résidus de résine par un nettoyage humide effectué après le décapage.
(JA) 電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段(1)とウエット洗浄手段(2)と枚葉式洗浄装置(3)とを備える。薬液洗浄手段(1)は、機能性薬液貯留槽(6)と、この機能性薬液貯留槽(6)に濃硫酸電解ライン(7)を介して接続した電解反応装置(8)とを有する。この機能性薬液貯留槽(6)は、機能性薬液供給ライン(10)を介して枚葉式洗浄装置(3)に機能性薬液(W1)を供給可能となっている。ウエット洗浄手段(2)は、純水の供給ライン(21)と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン(22)と、これら純水供給ライン(21)及び窒素ガス供給ライン(22)がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル(23)とを備える。二流体ノズル(23)の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴(W2)を噴射可能となっている。かかる電子材料洗浄システムによれば、電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)