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1. (WO2011114725) 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/114725    国際出願番号:    PCT/JP2011/001543
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 16.03.2011
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAYAKAWA, Yukio; (米国のみ).
MIKAWA, Takumi; (米国のみ).
KAWASHIMA, Yoshio; (米国のみ).
NINOMIYA, Takeki; (米国のみ)
発明者: HAYAKAWA, Yukio; .
MIKAWA, Takumi; .
KAWASHIMA, Yoshio; .
NINOMIYA, Takeki;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2010-064897 19.03.2010 JP
発明の名称: (EN) NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, PRODUCTION METHOD THEREFOR, DESIGN SUPPORT METHOD THEREFOR, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PROCÉDÉ D'AIDE À LA CONCEPTION DE CELUI-CI ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a nonvolatile memory element that can be initialized at low voltage, and which is provided with a variable resistance layer (116), in which the resistance value varies reversibly on the basis of an electrical signal conveyed between the electrodes, said variable resistance layer being disposed between a bottom electrode (105) and a top electrode (107). The variable resistance layer (116) comprises at least two layers: a first variable resistance layer (1161) and a second variable resistance layer (1162). The first variable resistance layer (1161) comprises a first transition metal oxide (116b), and the second variable resistance layer (1162) comprises a second transition metal oxide (116a) and a third transition metal oxide (116c). The degree of oxygen deficiency of the second transition metal oxide (116a) is higher than both the degree of oxygen deficiency of the first transition metal oxide (116b) and the degree of oxygen deficiency of the third transition metal oxide (116c). The second transition metal oxide (116a) and the third transition metal oxide (116c) are in contact with the first variable resistance layer (1161).
(FR)L'invention concerne un élément de mémoire non volatile qui peut être initialisé à une faible tension et qui est pourvu d'une couche à résistance variable (116), dans laquelle la valeur de la résistance varie de manière réversible en fonction d'un signal électrique passant entre les électrodes, ladite couche à résistance variable étant disposée entre une électrode inférieure (105) et une électrode supérieure (107). La couche à résistance variable (116) comporte au moins deux couches : une première couche à résistance variable (1161) et une seconde couche à résistance variable (1162). La première couche à résistance variable (1161) comporte un premier oxyde de métal de transition (116b) et la seconde couche à résistance variable (1162) comporte un deuxième oxyde de métal de transition (116a) et un troisième oxyde de métal de transition (116c). Le degré de déficit d'oxygène du deuxième oxyde de métal de transition (116a) est supérieur à la fois au degré de déficit d'oxygène du premier oxyde de métal de transition (116b) et au degré de déficit d'oxygène du troisième oxyde de métal de transition (116c). Le deuxième oxyde de métal de transition (116a) et le troisième oxyde de métal de transition (116c) sont en contact avec la première couche à résistance variable (1161).
(JA)低電圧での初期化が可能な不揮発性記憶素子であって、下部電極(105)と上部電極(107)との間に介在され、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(116)を備える。抵抗変化層(116)は、第1の抵抗変化層(1161)と第2の抵抗変化層(1162)との少なくとも2層から構成され、第1の抵抗変化層(1161)は第1の遷移金属酸化物(116b)から構成され、第2の抵抗変化層(1162)は、第2の遷移金属酸化物(116a)と第3の遷移金属酸化物(116c)とから構成され、第2の遷移金属酸化物(116a)の酸素不足度は第1の遷移金属酸化物(116b)の酸素不足度及び第3の遷移金属酸化物(116c)の酸素不足度のいずれよりも高く、第2の遷移金属酸化物(116a)及び第3の遷移金属酸化物(116c)は、第1の抵抗変化層(1161)と接している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)