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1. (WO2011114675) シリコンウェハのエッチング方法、エッチング液、エッチング装置、および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/114675    国際出願番号:    PCT/JP2011/001431
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 11.03.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YASUNAGA, Nozomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YASUNAGA, Nozomu; (JP)
代理人: TAKAHASHI, Shogo; c/o Mitsubishi Electric Corporation Corporate Intellectual Property Division, 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
優先権情報:
2010-059348 16.03.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR ETCHING A SILICON WAFER, ETCHING SOLUTION, ETCHING DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, SOLUTION D'ATTAQUE, DISPOSITIF DE GRAVURE, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) シリコンウェハのエッチング方法、エッチング液、エッチング装置、および半導体装置
要約: front page image
(EN)In order to improve the light absorption of cells in solar power generation devices, an etching method needs to be found that can inexpensively and reliably produce higher-density patterns, can efficiently reduce light reflectance, and uses an alkaline solution. The disclosed method, which uses wet etching to form a pattern on the surface of a silicon wafer used in a cell in a solar power generation device, uses an etching solution containing water, an alkali, and 1,6-hexanediol.
(FR)La présente invention a pour but d'améliorer l'absorption de la lumière par les cellules de dispositifs de production d'énergie solaire, en proposant un procédé de gravure qui permet de former à moindre coût et de façon fiable des motifs avec une densité plus élevée et de réduire efficacement le facteur de réflexion de la lumière, et qui utilise une solution alcaline. Le procédé décrit, qui repose sur la gravure humide pour former un motif sur la surface d'une plaquette de silicium employée dans un dispositif de production d'énergie solaire, utilise une solution d'attaque contenant de l'eau, un alcali et du 1,6-hexanediol.
(JA)太陽光発電装置のセルの光吸収を促進するため、安価で、安定して、より高密度にテクスチャを形成でき、光の反射率を効率よく低減できる、アルカリ性溶液を使用したウェットエッチングの方法を見出すことが課題である。太陽発電装置のセルを構成するシリコンウェハの表面に凹凸を形成するウェットエッチングによるエッチング方法であって、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液を用いてエッチングを行うようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)