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1. (WO2011114644) 走査荷電粒子顕微鏡を用いた画像生成方法及び装置、並びに試料の観察方法及び観察装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/114644    国際出願番号:    PCT/JP2011/001275
国際公開日: 22.09.2011 国際出願日: 04.03.2011
IPC:
G01B 15/04 (2006.01), G01N 23/225 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishishimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOTAKI, Go [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHIRA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIROI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOTAKI, Go; (JP).
MIYAMOTO, Atsushi; (JP).
NAKAHIRA, Kenji; (JP).
HIROI, Takashi; (JP)
代理人: INOUE, Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
優先権情報:
2010-061777 18.03.2010 JP
発明の名称: (EN) IMAGE GENERATING METHOD AND DEVICE USING SCANNING CHARGED PARTICLE MICROSCOPE, SAMPLE OBSERVATION METHOD, AND OBSERVING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'IMAGE UTILISANT UN MICROSCOPE À PARTICULES CHARGÉES À BALAYAGE, PROCÉDÉ D'OBSERVATION D'ÉCHANTILLON ET DISPOSITIF D'OBSERVATION
(JA) 走査荷電粒子顕微鏡を用いた画像生成方法及び装置、並びに試料の観察方法及び観察装置
要約: front page image
(EN)Disclosed are an image generating method and device such that a high-resolution SEM image is obtained while suppressing damage caused by SEM imaging to a sample as a result of irradiation of an electron beam in relation to image pick-up of a semiconductor pattern using SEM. A plurality of domains (similar domains) which have similarly shaped patterns are extracted from a low-resolution SEM image which is picked up while suppressing the irradiation energy of electron beam, whereby a single high-resolution image of the patterns is generated from the image data in the plurality of the domains via an image restoring process. Further, the similar domains, and the SEM imaging position and the imaging range that allow the image restoring process to be performed are determined using design data.
(FR)L'invention porte sur un procédé et sur un dispositif de génération d'image tels qu'une image de microscopie électronique à balayage (SEM) à haute résolution est obtenue tout en supprimant un endommagement dû à une imagerie SEM d'un échantillon en résultat de l'exposition à un faisceau d'électrons relativement à la prise d'image d'un motif semi-conducteur par SEM. Une pluralité de domaines (domaines similaires) qui ont des motifs de forme similaire sont extraits d'une image SEM à basse résolution qui est prise tout en supprimant l'énergie d'émission d'un faisceau d'électrons, ce par quoi une unique image à haute résolution des motifs est générée à partir des données d'image dans la pluralité des domaines par un processus de restauration d'image. En outre, les domaines similaires, et la position d'imagerie SEM et la plage d'imagerie qui permettent au processus de restauration d'image d'être exécuté, sont déterminés à l'aide de données de conception.
(JA) SEMを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、SEMの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なSEM画像を取得することである。 電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なSEM画像から形状が類似するパターンを持つ領域(類似領域)を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるSEMの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)