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1. (WO2011111859) 高絶縁、高安定性圧電LTGA単結晶及びその製造方法、並びにそのLTGA単結晶を使用する圧電素子及び燃焼圧センサー
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111859    国際出願番号:    PCT/JP2011/056123
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 09.03.2011
IPC:
C30B 29/30 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 41/39 (2013.01), H01L 41/41 (2013.01)
出願人: CITIZEN FINETECH MIYOTA CO., LTD. [JP/JP]; 4107-5, Oaza-Miyota, Miyotamachi, Kitasaku-gun, Nagano 3890294 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAYASHI, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARUGA, Toshimitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUKURA, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ANZAI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Akio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUMURA, Sadao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FURUKAWA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAYASHI, Takayuki; (JP).
ARUGA, Toshimitsu; (JP).
MATSUKURA, Makoto; (JP).
ANZAI, Yutaka; (JP).
MIYAMOTO, Akio; (JP).
MATSUMURA, Sadao; (JP).
FURUKAWA, Yasunori; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2010-053272 10.03.2010 JP
発明の名称: (EN) HIGHLY INSULATING/HIGHLY STABLE PIEZOELECTRIC LTGA SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT USING SAID LTGA SINGLE CRYSTAL, AND COMBUSTION PRESSURE SENSOR
(FR) MONOCRISTAL LTGA PIÉZOÉLECTRIQUE TRÈS ISOLANT/TRÈS STABLE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE UTILISANT LEDIT MONOCRISTAL LTGA ET CAPTEUR DE PRESSION DE COMBUSTION
(JA) 高絶縁、高安定性圧電LTGA単結晶及びその製造方法、並びにそのLTGA単結晶を使用する圧電素子及び燃焼圧センサー
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing an LTGA single crystal from a polycrystalline starting material prepared from a mixture of La2O3, Ta2O5, Ga2O3, and Al2O3, wherein a mixture having a composition represented by y(La2O3) + (1 - x - y - z)(Ta2O5) + z(Ga2O3) + x(Al2O3) is used as the polycrystalline starting material (in the formula, 0 < x ≤ 0.40/9, 3.00/9 < y ≤ 3.23/9, and 5.00/9 ≤ z < 5.50/9), and an LTGA single crystal is developed with the axis of crystal development as the Z-axis. It is preferable that vacuum heat treatment be performed on the developed LTGA single crystal. The highly insulating/highly stable LTGA single crystal developed by this method can be used in such applications as a piezoelectric element of a highly reliable combustion pressure sensor useful in measuring combustion pressure within the combustion chambers of an internal combustion engine.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un monocristal LTGA à partir d'un matériau polycristallin de départ préparé à partir d'un mélange de La2O3, de Ta2O5, de Ga2O3 et de Al2O3, un mélange qui a une composition représentée par la formule y(La2O3) + (1 - x - y - z)(Ta2O5) + z(Ga2O3) + x(Al2O3), étant utilisé comme matériau polycristallin de départ (dans la formule, 0 < x ≤ 0,40/9, 3,00/9 < y ≤ 3,23/9 et 5,00/9 ≤ z < 5,50/9), et un monocristal LTGA étant développé avec l'axe de développement du cristal qui est l'axe Z. Il est préférable qu'un traitement thermique sous pression réduite soit effectué sur le monocristal LTGA développé. Le monocristal LTGA très isolant/très stable développé par ce procédé peut être utilisé dans des applications sous la forme d'un élément piézoélectrique d'un capteur de pression de combustion très fiable qui est utile lors de la mesure de la pression de combustion à l'intérieur des chambres de combustion d'un moteur à combustion interne.
(JA)本発明は、La23、Ta25、Ga23、Al23の混合物から調製した多結晶出発原料からLTGAの単結晶を製造する方法であって、多結晶出発原料として、y(La23)+(1-x-y-z)(Ta25)+z(Ga23)+x(Al23)で表される組成(この式中、0<x≦0.40/9、3.00/9<y≦3.23/9、5.00/9≦z<5.50/9である)の混合物を使用し、且つ、結晶育成軸をZ軸としてLTGA単結晶を育成する方法を提供する。育成したLTGA単結晶に対し真空熱処理を施すことが好ましい。本発明の方法により育成した、高絶縁、高安定性LTGA単結晶は、内燃機関燃焼室内の燃焼圧の測定に有用な高信頼性の燃焼圧センサーの圧電素子などに利用することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)