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1. (WO2011111834) プローブ装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111834    国際出願番号:    PCT/JP2011/055819
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 11.03.2011
G01R 31/26 (2006.01), G01R 1/073 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOUNO, Isao [JP/JP]; (米国のみ).
TAOKA, Ken [JP/JP]; (米国のみ).
SHINOHARA, Eiichi [JP/JP]; (米国のみ).
OGASAWARA, Ikuo [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: KOUNO, Isao; .
TAOKA, Ken; .
SHINOHARA, Eiichi; .
代理人: KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
2010-055768 12.03.2010 JP
2010-180348 11.08.2010 JP
(JA) プローブ装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a probe apparatus which can reliably measure the static characteristics and the dynamic characteristics (switching characteristics) of a power device at a wafer level. The probe apparatus (10) is provided with: a movable placing table (12), on which a semiconductor wafer (W) is placed, said semiconductor wafer having a plurality of power devices, including a diode, formed thereon; a probe card (13) disposed above the placing table (12); and a tester (15), which brings a probe (13A) into electrical contact with the semiconductor wafer (W) in a state wherein at least a conductor film formed on the upper surface of the placing table (12) and a conductor layer formed on the rear surface of the semiconductor wafer (W) are electrically connected to each other, and which measures the electrical characteristics of the power device. A conductive pin (14) is provided on the outer circumferential end portion of the probe card (13), and at the time of measuring the electrical characteristics of the power device at the wafer level, the conductor film electrode (collector electrode) of the placing table (12) and a tester (15) are electrically connected via the conductive pin (14).
(FR)L'invention porte sur un appareil de sonde, qui peut mesurer de façon fiable les caractéristiques statiques et dynamiques (caractéristiques de commutation) d'un dispositif de puissance à un niveau de tranche. L'appareil de sonde (10) comporte : une table de disposition mobile (12), sur laquelle une tranche de semi-conducteurs (W) est disposée, ladite tranche de semi-conducteurs ayant une pluralité de dispositifs de puissance, comprenant une diode, formés sur celle-ci; une carte de sonde (13) disposée au-dessus de la table de disposition (12); et un testeur (15), qui amène une sonde (13A) en contact électrique avec la tranche de semi-conducteurs (W) dans un état dans lequel au moins un film conducteur formé sur la surface supérieure de la table de disposition (12) et une couche conductrice formée sur la surface arrière de la tranche de semi-conducteurs (W) sont électriquement connectés entre eux, et qui mesure les caractéristiques électriques du dispositif de puissance. Une broche conductrice (14) est disposée sur la partie extrémité périphérique externe de la carte de sonde (13), et, au moment de la mesure des caractéristiques électriques du dispositif de puissance au niveau de la tranche, l'électrode de film conducteur (électrode de collecteur) de la table de disposition (12) et un testeur (15) sont électriquement connectés par l'intermédiaire de la broche conductrice (14).
(JA) パワーデバイスの静特性及び動特性(スイッチング特性)をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。 本発明のプローブ装置10は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された半導体ウエハWを載置する移動可能な載置台12と、載置台12の上方に配置されたプローブカード13と、少なくとも載置台12の上面に形成された導体膜と半導体ウエハWの裏面に形成された導体層とが導通する状態で半導体ウエハWにプローブ13Aを電気的に接触させてパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するテスタ15と、を備え、プローブカード13の外周縁部に導通ピン14を設け、パワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定時に、導通ピン14を介して載置台12の導体膜電極(コレクタ電極)とテスタ15とを電気的に接続する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)