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1. (WO2011111766) シリコンの製造方法および治具
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111766    国際出願番号:    PCT/JP2011/055591
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 10.03.2011
IPC:
C01B 33/025 (2006.01), C01B 33/021 (2006.01), F27D 1/00 (2006.01), F27D 3/14 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATAYAMA Toshiaki; (米国のみ).
YAMAHARA Keiji; (米国のみ)
発明者: KATAYAMA Toshiaki; .
YAMAHARA Keiji;
代理人: HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2010-054697 11.03.2010 JP
2010-054727 11.03.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND JIG FOR PRODUCING SILICON
(FR) PROCÉDÉ ET GABARIT DE PRODUCTION DE SILICIUM
(JA) シリコンの製造方法および治具
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing silicon using an arc furnace, whereby it is possible to reduce the phosphorus concentration in the silicon. Specifically disclosed is a method for producing silicon by using a heating furnace to heat at least a starting material for silicon production which consists of a silica starting material and a carbon material, a silica starting material and silicon carbide, or only a silicon starting material, said method being characterized by the inclusion of a step for manipulating the starting material for silicon production and/or the heating products thereof on the interior of the heating furnace by means of a jig. The method is further characterized in that said jig has a nonmetallic material section with a bending strength of 100 MPa or greater and a melting point equal to or greater than that of silicon, and in that at least the portion of the jig that comes into contact with the starting material for silicon production or the heating products thereof, which have a temperature of at least 1000°C, is constituted by the nonmetallic material section.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de silicium utilisant un four à arc capable de réduire la concentration en phosphore du silicium produit. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé de production de silicium en chauffant un des produits de départ afin de produire du silicium, ledit produit de départ étant choisi parmi au moins un produit de départ à base de silice et un matériau carboné, un matériau de départ à base de silice et du carbure de silicium et un matériau de départ à base de silicium, dans un four de chauffage. Le procédé de production de silicium est caractérisé en ce qu'il comprend un procédé de réalisation utilisant un gabarit dans le four afin de chauffer au moins un des produits de départ afin de produire du silicium et les produits obtenus par chauffage, ledit gabarit ayant une résistance au pliage supérieure ou égale à 100 MPa et étant fourni avec une partie de matériau non métallique ayant un point de fusion supérieur ou égal à celui du silicium. Le procédé est en outre caractérisé en ce que l'endroit touchant le produit de départ destiné à produire le silicium ou les produits obtenus par chauffage, qui est d'au moins 1 000 °C, est constitué de la partie de matériau non métallique.
(JA) 製造したシリコン中のリン濃度を低減することができるアーク炉を用いるシリコンの製造方法を提供することを課題とする。 本発明は、少なくとも、シリカ原料および炭素材料、シリカ原料および炭化珪素、並びにシリコン原料から選ばれるいずれか1のシリコン製造用原料を加熱炉内で加熱することによりシリコンを製造する方法であって、 該シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で治具を用いて操作する工程を含み、該治具が、曲げ強度が100MPa以上でありかつ融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を備えており、少なくとも1000℃以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されていることを特徴とする、シリコンの製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)