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1. (WO2011111732) PZT膜を備えたセンサ素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111732    国際出願番号:    PCT/JP2011/055470
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 09.03.2011
IPC:
H01L 41/22 (2006.01), G01P 9/04 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/24 (2006.01)
出願人: HOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD. [JP/JP]; 3158,Shimo-okubo, Toyama-shi, Toyama 9392292 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IMAMURA Tetsuji; (米国のみ).
TAMURA Masahide; (米国のみ).
NAKANO Takayuki; (米国のみ).
YANO Hidekazu; (米国のみ)
発明者: IMAMURA Tetsuji; .
TAMURA Masahide; .
NAKANO Takayuki; .
YANO Hidekazu;
代理人: NISHIURA Tsuguharu; NISHIURA & ASSOCIATES,Sankaido Building 8F,9-13,Akasaka 1-chome,Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2010-055926 12.03.2010 JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SENSOR ELEMENT EQUIPPED WITH PZT FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT CAPTEUR COMPRENANT UN FILM PZT
(JA) PZT膜を備えたセンサ素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a manufacturing method for a sensor element equipped with a PZT film, that forms a good quality, and substantially homogenous PZT film. The method forms a lower electrode E0 on a surface of one side of an SOI substrate 31 having a thickness of 550 µm or more. A PZT film 37 is formed on the lower electrode E0 when the SOI substrate 31 is heated from a surface side of another side of the SOI substrate 31. A predetermined PZT film pattern 19 is formed by implementing an etching process on the PZT film 37. An upper electrode E1 is formed with a predetermined pattern that opposes the lower electrode E0 on the PZT film pattern 19. A polishing process is implemented on a surface of another side of the SOI substrate 31 thereby thinning the thickness of the SOI substrate 31 to a predetermined thickness to effectively develops a characteristic of the PZT film pattern 19. Thereafter, a flexible portion 11 is formed having flexibility by implementing an etching process on a surface of another side of the SOI substrate 31.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un élément capteur comprenant un film PZT, qui forme un film PZT de bonne quantité et sensiblement homogène. Le procédé forme une électrode inférieure E0 sur une surface d'un côté d'un substrat SOI 31 ayant une épaisseur de 550 µm ou plus. Un film PZT 37 est formé sur l'électrode inférieure E0 lorsque le substrat SOI 31 est chauffé depuis une surface d'un autre côté du substrat SOI 31. Un motif de film PZT prédéterminé 19 est formé par mise en œuvre d'un processus de gravure sur le film PZT 37. Une électrode supérieure E1 est pourvue d'un motif prédéterminé qui est opposé à l'électrode inférieure E0 sur le motif de film PZT 19. Un processus de polissage est mis en œuvre sur une surface d'un autre côté du substrat SOI 31 de façon à amincir l'épaisseur du substrat SOI 31 jusqu'à une épaisseur prédéterminée afin de développer efficacement une caractéristique du motif de film PZT 19. Ensuite, une partie flexible 11 possédant de la flexibilité est formée par une mise en œuvre d'un processus de gravure sur une surface d'un autre côté du substrat SOI 31.
(JA) 良質でほぼ均質なPZT膜を形成できるPZT膜を備えたセンサ素子の製造方法を提供する。550μm以上の厚みを有するSOI基板31の一方の面上に下部電極E0を形成する。SOI基板31の他方の面側からSOI基板31を加熱した状態で、下部電極E0の上にPZT膜37を形成する。PZT膜37にエッチング処理を施して所定のPZT膜パターン19を形成する。PZT膜パターン19の上に下部電極E0と対向する所定のパターンの上部電極E1を形成する。SOI基板31の他方の面に研磨加工を施して、SOI基板31の厚みをPZT膜パターン19の特性を有効に発揮させる所定の厚みまで薄くする。その後、SOI基板31の他方の面からエッチング処理を施して可撓性を有する可撓部11を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)