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1. (WO2011111498) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111498    国際出願番号:    PCT/JP2011/053508
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 18.02.2011
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AKAE Naonori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAKAMI Kotaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIROSE Yoshiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMEDA Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AKAE Naonori; (JP).
MURAKAMI Kotaro; (JP).
HIROSE Yoshiro; (JP).
KAMEDA Kenji; (JP)
代理人: YUI Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
優先権情報:
2010-050752 08.03.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a semiconductor device, said method comprising: a step for forming a thin film, which is different from a silicon oxide film, on a substrate by feeding a treatment gas to inside of a treatment vessel housing the substrate; a step for removing deposits including the thin film, which is attached inside the treatment vessel, said removal being performed by feeding a fluorine-containing gas to inside of the treatment vessel once the step for forming a thin film has been performed a predetermined number of times; and a step for forming a silicon oxide film, which has a predetermined film thickness, inside of the treatment vessel by alternately feeding a silicon-containing gas, and an oxygen-containing gas and a hydrogen-containing gas, to inside of the treatment vessel which has been heated following the removal of deposits and is at a pressure that is less than atmospheric pressure.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire un dispositif à semi-conducteur, qui consiste à former un film mince, différent d'un film en oxyde de silicium, sur un substrat en introduisant un gaz de traitement dans un récipient de traitement logeant le substrat; à évacuer les dépôts comprenant le film mince, qui est fixé à l'intérieur du récipient de traitement, l'évacuation étant réalisée par introduction d'un gaz contenant du fluor dans le récipient de traitement une fois la formation d'un film mince exécutée un certain nombre de fois; et à former un film en oxyde de silicium, qui présente une épaisseur de film prédéterminée, dans le récipient de traitement par introduction alternée dans le récipient de traitement de gaz contenant du silicium, de gaz contenant de l'oxygène et de gaz contenant de l'hydrogène, l'intérieur du récipient de traitement ayant été chauffé à la suite de l'évacuation des dépôts et étant à une pression inférieure à la pression atmosphérique.
(JA) 基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、処理容器内にフッ素含有ガスを供給して処理容器内に付着した薄膜を含む堆積物を除去する工程と、堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)