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1. (WO2011111473) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111473    国際出願番号:    PCT/JP2011/052999
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 14.02.2011
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNO Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUKURA Fumihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ENDOH Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANAI Shun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIURA Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHNO Hideo; (JP).
IKEDA Shoji; (JP).
MATSUKURA Fumihiro; (JP).
ENDOH Masaki; (JP).
KANAI Shun; (JP).
MIURA Katsuya; (JP).
YAMAMOTO Hiroyuki; (JP)
代理人: HIRAKI Yusuke; Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232 (JP)
優先権情報:
2010-053226 10.03.2010 JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT MAGNETORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
要約: front page image
(EN)Disclosed are: a magnetoresistive element wherein the magnetization direction is stable in the direction perpendicular to the film surface and the magnetoresistance change ratio is controlled; and a magnetic memory which uses the magnetoresistive element. Specifically, a material for a ferromagnetic layer of a magnetoresistive element is configured of a Heusler alloy or a ferromagnetic material that contains at least one 3d transition metal, so that the magnetoresistance change ratio is controlled. The magnetization direction is changed from the film in-plane direction to the direction perpendicular to the film surface by controlling the film thickness of the ferromagnetic layer at the atomic layer level.
(FR)L'invention concerne un élément magnétorésistif dans lequel l'aimantation est stable dans la direction perpendiculaire à la surface du film et le taux de variation de la magnétorésistance est contrôlé, ainsi qu'une mémoire magnétique qui utilise ledit élément magnétorésistif. L'invention concerne spécifiquement un matériau pour une couche ferromagnétique d'un élément magnétorésistif, qui est constituée d'un alliage d'Heusler ou d'un matériau ferromagnétique qui contient au moins un métal de transition 3d, de sorte que le taux de variation de la magnétorésistance est contrôlé. La direction d'aimantation passe de la direction dans le plan du film à la direction perpendiculaire à la surface du film en contrôlant l'épaisseur du film de la couche ferromagnétique au niveau des couches atomiques.
(JA) 磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及び、その磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。 磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層の材料を、3d遷移金属を少なくとも1種類含んだ強磁性材料若しくはホイスラー合金で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)