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1. (WO2011111472) 表面プラズモン増強蛍光測定装置及びチップ構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111472    国際出願番号:    PCT/JP2011/052993
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 14.02.2011
IPC:
G01N 21/64 (2006.01), G01N 21/78 (2006.01), G01N 21/27 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATHUO Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NINOMIYA Hidetaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIDA Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATHUO Masataka; (JP).
NINOMIYA Hidetaka; (JP).
ISHIDA Kenji; (JP)
優先権情報:
2010-050328 08.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SURFACE-PLASMON-ENHANCED FLUORESCENCE MEASUREMENT DEVICE AND CHIP STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE FLUORESCENCE RENFORCÉE PAR PLASMON DE SURFACE ET STRUCTURE DE PUCE
(JA) 表面プラズモン増強蛍光測定装置及びチップ構造体
要約: front page image
(EN)Disclosed is a surface-plasmon-enhanced fluorescence measurement device, in which one surface of a metal thin film (102) that is arranged on a chip structure (108) is irradiated with excited light to enhance the electric field on the metal thin film (102), thereby exciting a fluorescent substance in a reaction field that is formed on the other surface of the metal thin film (102), and the enhanced fluorescence is detected by means of a light detection means. In the device, a light-blocking part (103) capable of blocking light having the same wavelength as that of the fluorescence excited from the fluorescent substance is arranged on one surface or other surface of the metal thin film (102) in the chip structure (108). In this manner, noises caused by scattered light or intrinsic fluorescence can be reduced, and therefore an S/N ratio can be improved.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mesure de fluorescence renforcée par plasmon de surface, dans lequel une surface d'un film mince métallique (102) qui est disposé sur une structure de puce (108) est irradiée avec une lumière excitée afin de renforcer le champ électrique sur le film mince métallique (102), de façon à exciter ainsi une substance fluorescente dans un champ de réaction qui est formé sur l'autre surface du film mince métallique (102), la fluorescence renforcée étant détectée à l'aide d'un moyen de détection de lumière. Dans le dispositif, une partie arrêt de lumière (103) apte à arrêter une lumière ayant la même longueur d'onde que celle de la fluorescence excitée à partir de la substance fluorescente est disposée sur une première surface ou sur une autre surface du film mince métallique (102) dans la structure de puce (108). De cette manière, des bruits provoqués par de la lumière dispersée ou une fluorescence intrinsèque peuvent être réduits, et, par conséquent, un rapport signal/bruit peut être amélioré.
(JA) チップ構造体108に設けられた金属薄膜102の一方の面に励起光を照射し、金属薄膜上102の電場を増強させることにより、金属薄膜102の他方の面に形成された反応場の蛍光物質を励起させ、これにより増強された蛍光を光検出手段にて検出するようにした表面プラズモン増強蛍光測定装置であって、チップ構造体108には、金属薄膜102の一方若しくは他方の面側に、蛍光物質から励起された蛍光と同じ波長の光を遮光する遮光部103が設けられている。 これにより散乱光や自家蛍光によるノイズを低減させることによりS/N比を向上させることが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)