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1. (WO2011111436) ゲルマニウム発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111436    国際出願番号:    PCT/JP2011/051806
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 28.01.2011
IPC:
H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/125 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANI Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGAWARA Toshiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
LEE Youngkun [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
HISAMOTO Dai [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIURA Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ODA Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANI Kazuki; (JP).
SAITO Shinichi; (JP).
SUGAWARA Toshiki; (JP).
LEE Youngkun; (JP).
HISAMOTO Dai; (JP).
MIURA Makoto; (JP).
ODA Katsuya; (JP)
代理人: POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
優先権情報:
2010-050597 08.03.2010 JP
発明の名称: (EN) GERMANIUM LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE AU GERMANIUM
(JA) ゲルマニウム発光素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a germanium light-emitting element which is produced using germanium having low threading dislocation density and can emit light with high efficiency. A germanium laser diode having a high-quality germanium light-emitting layer can be provided using germanium formed on silicon dioxide. A germanium laser diode having carrier density higher than the carrier density limit that can be injected by conventional n-type germanium can be provided using silicon as an n-type electrode.
(FR)L'invention concerne un élément émetteur de lumière au germanium fabriqué à partir de germanium, dont la densité des dislocations émergentes est faible et dont le rendement d'émission est élevé. Une diode laser au germanium possédant une couche émettrice de lumière au germanium de haute qualité peut être obtenue à partir de germanium appliqué sur du dioxyde de silicium. Une diode laser au germanium présentant une densité de porteurs supérieure à la densité de porteurs limite susceptible d'être injectée par du germanium de type N classique peut être obtenue en utilisant du silicium comme électrode de type N.
(JA) 貫通転位密度の小さいゲルマニウムを用いて高効率で発光するゲルマニウム発光素子を提供することである。二酸化シリコン上に形成されたゲルマニウムを用いることで、高品質なゲルマニウム発光層を持つゲルマニウム・レーザ・ダイオードを実現する。また、n型の電極にシリコンを用いることで従来のn型ゲルマニウムで注入することができたキャリア密度の限界を超えるゲルマニウム・レーザ・ダイオードを提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)