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1. (WO2011111308) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111308    国際出願番号:    PCT/JP2011/000864
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 17.02.2011
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MURAGISHI, Isao; (米国のみ).
KAI, Takayuki; (米国のみ).
SAITO, Daishiro; (米国のみ).
YAMAMOTO, Daisuke; (米国のみ).
KOIWASAKI, Takeshi; (米国のみ)
発明者: MURAGISHI, Isao; .
KAI, Takayuki; .
SAITO, Daishiro; .
YAMAMOTO, Daisuke; .
KOIWASAKI, Takeshi;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2010-051516 09.03.2010 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
要約: front page image
(EN)An underlayer conductive member (207) is formed on the surface of a substrate (201) and in a hole part (205), and a resist (208) is formed on a part of the underlayer conductive member (207) on which a conductive material layer (209, 210) is not formed. The conductive material layer (209, 210) is formed on a part other the part having the resist (208) formed thereon, and a mask metal (212) is formed on the conductive material layer (209, 210). Subsequently, the resist (208) is removed, and the underlayer conductive member (207) is etched using the mask metal (212) as a mask, thereby forming the conductive material layer (209, 210) in a desired shape.
(FR)Selon l'invention, un élément conducteur de sous-couche (207) est formé à la surface d'un substrat (201) et dans une partie trou (205), et une résine photosensible (208) est formée sur une partie de l'élément conducteur de sous-couche (207) sur laquelle une couche de matériau conducteur (209, 210) n'est pas formée. La couche de matériau conducteur (209, 210) est formée sur une partie autre que la partie sur laquelle est formée la résine photosensible (208) et un métal de masquage (212) est formé sur la couche de matériau conducteur (209, 210). Ensuite, la résine photosensible (208) est éliminée et l'élément conducteur de sous-couche (207) est gravé en utilisant comme masque le métal de masquage (212), ce qui donne à la couche de matériau conducteur (209, 210) la forme voulue.
(JA) 基板(201)の表面及び穴部(205)に下地導電部材(207)を形成し、下地導電部材(207)上で導電材層(209,210)を形成しない箇所にレジスト(208)を形成する。レジスト(208)が形成された部分以外の部分に導電材層(209,210)を形成し、導電材層(209,210)上にマスクメタル(212)を形成する。その後、レジスト(208)を除去し、マスクメタル(212)をマスクとして下地導電部材(207)をエッチングし、導電材層(209,210)を所定の形状に形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)