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1. (WO2011111290) 不揮発性半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111290    国際出願番号:    PCT/JP2011/000360
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 24.01.2011
IPC:
G11C 16/06 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA, Masayoshi; (米国のみ).
ONO, Takashi; (米国のみ).
MOCHIDA, Reiji; (米国のみ)
発明者: NAKAYAMA, Masayoshi; .
ONO, Takashi; .
MOCHIDA, Reiji;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-053247 10.03.2010 JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 不揮発性半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)A bit line (104, 105) connected to each non-volatile memory cell (102) is selected by a selection transistor (107, 108). While a voltage is switched and supplied to a first-drive circuit (115) that drives the selection transistor (107) gate, by a first voltage switch (120), a voltage is switched and supplied to a second-drive circuit (116) that drives a selection transistor (108) gate, by a second voltage switch (121). A structure of the transistor that composes the first-drive circuit (115) is different from that of the transistor that composes the second-drive circuit (116).
(FR)Selon l'invention, une ligne de bit (104, 105) connectée à chaque cellule de mémoire non volatile (102) est sélectionnée par un transistor de sélection (107, 108). Tandis qu'une tension est commutée par un premier commutateur de tension (120) pour être fournie à un premier circuit d'attaque (115) qui pilote la grille du transistor de sélection (107), une tension est commutée par un second commutateur de tension (121) et fournie à un second circuit d'attaque (116) qui pilote la grille d'un transistor de sélection (108). Une structure du transistor qui compose le premier circuit d'attaque (115) est différente de celle du transistor qui compose le second circuit d'attaque (116).
(JA) 各不揮発性メモリセル(102)に接続されているビット線(104,105)は、選択トランジスタ(107,108)によってそれぞれ選択される。選択トランジスタ(107)のゲートを駆動する第1の駆動回路(115)は、第1の電圧スイッチ(120)によって電圧が切り替えて供給される一方、選択トランジスタ(108)のゲートを駆動する第2の駆動回路(116)は、第2の電圧スイッチ(121)によって電圧が切り替えて供給される。第1の駆動回路(115)を構成するトランジスタは、第2の駆動回路(116)を構成するトランジスタと、構造が異なっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)