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1. (WO2011111274) 信号線路の構造、信号線路の製造方法及び当該信号線路を用いたスイッチ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111274    国際出願番号:    PCT/JP2010/072110
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 09.12.2010
IPC:
H01P 3/08 (2006.01), H01H 59/00 (2006.01), H01P 1/12 (2006.01)
出願人: OMRON CORPORATION [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAMOTO Junya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NARISE Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAMOTO Junya; (JP).
NARISE Koji; (JP)
代理人: NAKANO Masayoshi; Ogura Temmabashi Building, 3-5, Tanimachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
優先権情報:
2010-056731 12.03.2010 JP
発明の名称: (EN) STRUCTURE FOR SIGNAL LINE, MANUFACTURING METHOD FOR SIGNAL LINE AND SWITCH USING THE SIGNAL LINE
(FR) STRUCTURE POUR CIRCUIT DE TRANSMISSION DE SIGNAUX, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CIRCUIT DE TRANSMISSION DE SIGNAUX ET COMMUTATEUR UTILISANT LE CIRCUIT DE TRANSMISSION DE SIGNAUX
(JA) 信号線路の構造、信号線路の製造方法及び当該信号線路を用いたスイッチ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a structure for a signal line wherein a lower insulating layer (23) is formed on the upper surface of a base (22); a semiconductor layer (24) is provided on the upper surface of the lower insulating layer (24) such that at least one part thereof follows a pathway intended for signal transmission; an upper insulating layer (25) is provided on the upper surface of the semiconductor layer (24) such that at least one part thereof follows the semiconductor layer (24); and a strip conductor (26) is wired on the upper surface of the insulating layer (25) such that at least one part thereof follows the upper insulating layer (25). The signal line (21) is formed as an island, and the semiconductor layer (24) and upper insulating layer (25) are of roughly the same width as the strip conductor (26).
(FR)La présente invention concerne une structure pour un circuit de transmission de signaux. Dans ladite structure, une couche isolante inférieure (23) est formée sur la surface supérieure d'une base (22) ; une couche à semi-conducteur (24) est prévue sur la surface supérieure de la couche isolante inférieure (23) de sorte qu'au moins une partie de ladite couche suive une voie de passage prévue pour la transmission de signaux ; une couche isolante supérieure (25) est prévue sur la surface supérieure de la couche à semi-conducteur (24) de sorte qu'au moins une partie de ladite couche suive la couche à semi-conducteur (24) ; et une bande conductrice (26) est câblée sur la surface supérieure de la couche isolante (25) de sorte qu'au moins une partie de ladite bande suive la couche isolante supérieure (25). Le circuit de transmission de signaux (21) présente la forme d'un îlot, et la couche à semi-conducteur (24) et la couche isolante supérieure (25) possèdent approximativement la même largeur que la bande conductrice (26).
(JA) ベース22の上面に下絶縁層23を形成する。下絶縁層23の上面には、少なくとも一部が信号伝送しようとする経路に沿うようにして半導体層24を設ける。半導体24の上面には、少なくとも一部が半導体24に沿うようにして上絶縁層25を設ける。上絶縁層25の上面には、少なくとも一部が上絶縁層25に沿うようにしてストリップ導体26を配線する。この信号線路21はアイランド化されており、半導体層24及び上絶縁層25は、ストリップ導体26とほぼ等しい幅を有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)