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1. (WO2011111135) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111135    国際出願番号:    PCT/JP2010/006419
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 29.10.2010
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMASHINA, Daigo; (米国のみ).
INOUE, Masaki; (米国のみ)
発明者: YAMASHINA, Daigo; .
INOUE, Masaki;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-053972 11.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The disclosed semiconductor device is provided with: a first conductive type drift diffusion region (10); a second conductive type body diffusion region (2); a first conductive type source diffusion region (6); an insulating film (14) which is embedded in a trench formed in the upper part of the drift diffusion region (10) and is formed in a location that is separate from the body diffusion region (2); a first conductive type drain diffusion region (7), which is formed in the upper part of the drift diffusion region (10) and is adjacent to the insulating film (14) in the opposite direction to the source diffusion region (6); and a gate electrode (5) which is formed so as to go from above the body diffusion region (2), over the drift diffusion region (10) and up to above the insulating film (14). The drift diffusion region (10) has a substrate inner region (11), and a surface region (12) which contains first conductive type impurities at a higher concentration than the substrate inner region (11).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant : une région de diffusion de dérive d'un premier type de conduction (10) ; une région de diffusion de corps d'un deuxième type de conduction (2) ; une région de diffusion de source du premier type de conduction (6) ; un film isolant (14) déposé dans une tranchée formée dans la partie supérieure de la région de diffusion de dérive (10) et formée à un endroit séparé de la région de diffusion de corps (2) ; une région de diffusion de drain du premier type de conduction (7) formée dans la partie supérieure de la région de diffusion de dérive (10) et contiguë au film isolant (14) dans la direction opposée à la région de diffusion de source (6) ; et une électrode de grille (5) formée de manière à partir du dessus de la région de diffusion de corps (2), passer par-dessus la région de diffusion de dérive (10) et arriver au-dessus du film isolant (14). La région de diffusion de dérive (10) comporte une région interne de substrat (11), et une région de surface (12) qui contient des impuretés du premier type de conductivité à une concentration supérieure à celle de la région interne de substrat (11).
(JA) 半導体装置は、第1導電型のドリフト拡散領域10と、第2導電型のボディ拡散領域2と、第1導電型のソース拡散領域6と、ドリフト拡散領域10の上部に形成されたトレンチ内に埋め込まれ、ボディ拡散領域2とは離間した位置に形成された絶縁膜14と、ドリフト拡散領域10の上部に形成され、絶縁膜14から見てソース拡散領域6と逆の方向に隣接する第1導電型のドレイン拡散領域7と、ボディ拡散領域2上からドリフト拡散領域10上を越えて絶縁膜14上にまで形成されたゲート電極5とを備えている。また、ドリフト拡散領域10は、基板内部領域11と、基板内部領域11よりも高濃度の第1導電型不純物を含む表面領域12とを有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)