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1. (WO2011111133) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/111133    国際出願番号:    PCT/JP2010/006345
国際公開日: 15.09.2011 国際出願日: 27.10.2010
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OIKAWA, Kota; (米国のみ)
発明者: OIKAWA, Kota;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-056312 12.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
(FR) APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A source/drain region (106) is formed at both sides of a gate electrode (103) on a semiconductor substrate (100). A shared contact has a lower level contact (113) that is connected to the source/drain region (106) and not connected to the gate electrode (103), and an upper level contact (118) connected to both the lower contact (113) and the gate electrode (103).
(FR)L'invention concerne un appareil semi-conducteur dans lequel une région de source/drain (106) est formée des deux côtés d'une électrode de grille (103) sur un substrat semi-conducteur (100). Un contact commun comporte un contact de niveau inférieur (113) qui est relié à la région de source/drain (106), mais pas à l'électrode de grille (103), et un contact de niveau supérieur (118) relié au contact inférieur (113) et à l'électrode de grille (103).
(JA) 半導体基板(100)におけるゲート電極(103)の両側にソース/ドレイン領域(106)が形成されている。シェアードコンタクトは、ソース/ドレイン領域(106)とは接続し且つゲート電極(103)とは接続しない下層コンタクト(113)と、下層コンタクト(113)及びゲート電極(103)の双方に接続する上層コンタクト(118)とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)