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1. (WO2011108706) 単結晶基板、単結晶基板の製造方法、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108706    国際出願番号:    PCT/JP2011/055076
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 04.03.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
出願人: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
DISCO CORPORATION [JP/JP]; 13-11, Omori-Kita 2-chome, Ota-ku, Tokyo 1438580 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AIDA, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOTA, Natsuko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSHINO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FURUTA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAMAMOTO, Tomosaburo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONJO, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AIDA, Hideo; (JP).
AOTA, Natsuko; (JP).
HOSHINO, Hitoshi; (JP).
FURUTA, Kenji; (JP).
HAMAMOTO, Tomosaburo; (JP).
HONJO, Keiji; (JP)
代理人: IAT WORLD PATENT LAW FIRM; 7th Floor, HULIC Nakano Bldg. 44-18, Honcho 4-chome, Nakano-ku, Tokyo 1640012 (JP)
優先権情報:
2010-049859 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, AND DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DOTÉ D'UN FILM À COUCHES MULTIPLES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF
(JA) 単結晶基板、単結晶基板の製造方法、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
要約: front page image
(EN)In order to correct warping that occurs as a result of the formation of a multilayer film, a single crystal substrate is disclosed that has a heat denatured layer disposed within either a first region (10D) or a second region (10U), which are obtained by dividing the substrate into two equal parts in the thickness direction, and that is curved in a manner such that the surface of the region in which the heat denatured layer is provided forms a convex. Also disclosed are a production method therefor, a production method for a single crystal substrate with a multilayer film that uses said single crystal substrate, and a device production method using said production method.
(FR)Afin de corriger le gauchissement qui se produit en conséquence de la formation d'un film à couches multiples, la présente invention a trait à un substrat monocristallin qui est doté d'une couche dénaturée de chaleur disposée à l'intérieur soit d'une première zone (10D) soit d'une seconde zone (10U), qui sont obtenues en divisant le substrat en deux parties égales dans la direction de l'épaisseur, et qui est courbé de manière à ce que la surface de la zone sur laquelle est prévue la couche dénaturée de chaleur forme une surface convexe. La présente invention a également trait à son procédé de production, à un procédé de production d'un substrat monocristallin doté d'un film à couches multiples qui utilise ledit substrat monocristallin doté d'un film à couches multiples qui utilise ledit single, et à un procédé de production de dispositif utilisant ledit procédé de production.
(JA) 多層膜の成膜に起因して生じる反りを矯正すること。 基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域10Dおよび第2領域10Uからなる2つの領域のうち、どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っている単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板を用いた多層膜付き単結晶基板の製造方法、および、当該製造方法を利用した素子製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)