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1. (WO2011108703) 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108703    国際出願番号:    PCT/JP2011/055066
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 04.03.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
出願人: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
DISCO CORPORATION [JP/JP]; 13-11, Omori-Kita 2-chome, Ota-ku, Tokyo 1438580 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AIDA, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOTA, Natsuko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSHINO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FURUTA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAMAMOTO, Tomosaburo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONJO, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AIDA, Hideo; (JP).
AOTA, Natsuko; (JP).
HOSHINO, Hitoshi; (JP).
FURUTA, Kenji; (JP).
HAMAMOTO, Tomosaburo; (JP).
HONJO, Keiji; (JP)
代理人: IAT WORLD PATENT LAW FIRM; 7th Floor, HULIC Nakano Bldg. 44-18, Honcho 4-chome, Nakano-ku, Tokyo 1640012 (JP)
優先権情報:
2010-049858 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, PRODUCTION METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, AND DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DOTÉ D'UN FILM À COUCHES MULTIPLES, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DOTÉ D'UN FILM À COUCHES MULTIPLES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF
(JA) 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
要約: front page image
(EN)In order to correct warping that occurs in the formation of a multilayer film, a single crystal substrate with a multilayer film is disclosed that includes a single crystal substrate (20) and a multilayer film (30) with compressive stress that has at least two layers formed upon one surface of the single crystal substrate (20), and in which, from among two regions (20U, 20D) that are obtained by dividing the single crystal substrate (20) into two equal parts in the thickness direction thereof, a heat denatured layer (22) is disposed within at least the region (20D) on the side of the surface opposite the surface of the single crystal substrate (20) upon which the multilayer film (30) has been formed. Also disclosed are a production method therefor and a device production method using said production method.
(FR)Afin de corriger le gauchissement qui se produit lors de la formation d'un film à couches multiples, la présente invention a trait à un substrat monocristallin doté d'un film à couches multiples qui inclut un substrat monocristallin (20) et un film à couches multiples (30) doté d'une contrainte de compression et qui est pourvu d'au moins deux couches formées sur une surface du substrat monocristallin (20). Parmi deux zones (20U, 20D) qui sont obtenues en divisant le substrat monocristallin (20) en deux parties égales dans la direction de son épaisseur, une couche dénaturée de chaleur (22) est disposée à l'intérieur au moins de la zone (20D) du côté de la surface opposée à la surface du substrat monocristallin (20) sur laquelle le film à couches multiples (30) a été formé. La présente invention a également trait à son procédé de production et à un procédé de production de dispositif utilisant ledit procédé de production.
(JA) 多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。 単結晶基板20と、単結晶基板20の片面に形成された2つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜30とを含み、単結晶基板20をその厚み方向において2等分して得られる2つの領域20U、20Dのうち、少なくとも単結晶基板20の多層膜30が形成された面側と反対側の面側の領域20D内に、熱変性層22が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)