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1. (WO2011108698) エピタキシャル成長用内部改質基板、多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、半導体バルク基板およびそれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108698    国際出願番号:    PCT/JP2011/055055
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 04.03.2011
IPC:
C30B 29/20 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
出願人: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
DISCO CORPORATION [JP/JP]; 13-11, Omori-Kita 2-chome, Ota-ku, Tokyo 1438580 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AIDA, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOTA, Natsuko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSHINO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FURUTA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAMAMOTO, Tomosaburo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONJO, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AIDA, Hideo; (JP).
AOTA, Natsuko; (JP).
HOSHINO, Hitoshi; (JP).
FURUTA, Kenji; (JP).
HAMAMOTO, Tomosaburo; (JP).
HONJO, Keiji; (JP)
代理人: IAT WORLD PATENT LAW FIRM; 7th Floor, HULIC Nakano Bldg. 44-18, Honcho 4-chome Nakano-ku, Tokyo 1640012 (JP)
優先権情報:
2010-049857 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) INTERNAL REFORMING SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH, INTERNAL REFORMING SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHODS THEREFOR
(FR) SUBSTRAT À REFORMAGE INTERNE POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE, SUBSTRAT À REFORMAGE INTERNE AVEC FILM MULTICOUCHE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MASSIF ET LEURS PROCÉDÉS DE PRODUCTION
(JA) エピタキシャル成長用内部改質基板、多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、半導体バルク基板およびそれらの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are an internal reforming substrate for epitaxial growth having an arbitrary warped shape and/or amount of warping, an internal reforming substrate with multilayer film using the same, a semiconductor device, a bulk semiconductor substrate, and production methods therefor. The internal reforming substrate for epitaxial growth comprises a single crystal substrate and a heat-denatured layer that is formed in the interior of said single crystal substrate by irradiating the single crystal substrate with a laser.
(FR)Cette invention concerne un substrat à reformage interne pour croissance épitaxiale présentant une forme gauchie de manière arbitraire et/ou un certain gauchissement. L'invention concerne en outre un substrat à reformage interne avec un film multicouche l'utilisant, un dispositif à semi-conducteur, un substrat semi-conducteur massif et leurs procédés de production. Le substrat à reformage interne pour croissance épitaxiale comprend un substrat monocristallin et une couche dénaturée par la chaleur qui est formée à l'intérieur dudit substrat monocristallin par irradiation laser du substrat monocristallin.
(JA) 任意の反り形状および/または反り量を有するエピタキシャル成長用内部改質基板、これを用いた多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、および半導体バルク基板、ならびにそれらの製造方法を提供すること。 単結晶基板と、単結晶基板に対するレーザ照射により、当該単結晶基板の内部に形成される熱変性層と、を含んでなるエピタキシャル成長用内部改質基板とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)