WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011108614) 半導体トランジスタの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108614    国際出願番号:    PCT/JP2011/054814
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 02.03.2011
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: Advanced Power Device Research Association [JP/JP]; 2-4-3, Okano, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2200073 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAMBAYASHI Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAMOTO Akinobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHMI Tadahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAMBAYASHI Hiroshi; (JP).
TERAMOTO Akinobu; (JP).
OHMI Tadahiro; (JP)
代理人: NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2010-045548 02.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR TRANSISTOR PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体トランジスタの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor transistor production method for forming an ohmic electrode upon an active layer comprising a GaN semiconductor, which involves a step for forming a first layer (11) comprising tantalum nitride upon an active layer (3) and a second layer (12) comprising Al that is layered upon the first layer (11), and a step for forming ohmic electrodes (9s, 9d), which form an ohmic contact with the active layer (3), by heat treating the first and second layers (11, 12) at a temperature in the range of 520°C to 600°C.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un transistor semi-conducteur pour former une électrode ohmique sur une couche active comprenant un semi-conducteur à base de GaN. Le procédé consiste à former une première couche (11) comprenant du nitrure de tantale sur une couche active (3) et une deuxième couche (12) comprenant de l'aluminium qui est déposée sur la première couche (11), et former des électrodes ohmiques (9s, 9d) qui constituent un contact ohmique avec la couche active (3), en traitant thermiquement la première et la deuxième couche (11, 12) à une température comprise entre 520 et 600 °C.
(JA) GaN系の半導体からなる活性層上に、オーミック電極を形成する半導体トランジスタの製造方法であって、活性層3上に、タンタル窒化物からなる第1の層11と、第1の層11上に積層されたAlからなる第2の層12とを形成する工程と、第1及び第2の層11,12を、520℃以上、600℃以下の温度で熱処理することにより、活性層3とオーミックコンタクトをとるオーミック電極9s,9dを形成する工程とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)