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1. (WO2011108587) 炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108587    国際出願番号:    PCT/JP2011/054766
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 02.03.2011
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOGOI Hisao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOGOI Hisao; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2010-049627 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR AFFIXING SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE FIXATION D'UN GERME CRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for affixing a silicon carbide seed crystal is provided with which single-crystal silicon carbide of high quality having no through defects can be produced. Also provided is a process for producing single-crystal silicon carbide. The method for affixing a silicon carbide seed crystal is a method for affixing a silicon carbide seed crystal to the surface of a pedestal, and is characterized by comprising a step in which the seed-crystal-side surface of the pedestal is mirror-polished, a bombardment step in which the seed-crystal-side surface of the pedestal and/or the pedestal-side surface of the silicon carbide seed crystal is bombarded with atoms or ions in a vacuum, and a bonding step in which in a vacuum, the seed-crystal-side surface of the pedestal and the pedestal-side surface of the silicon carbide seed crystal are brought into close contact with each other and then pressed to directly bond the pedestal to the seed crystal.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fixation d'un germe cristallin de carbure de silicium permettant de produire du carbure de silicium monocristallin sans défauts volumiques. Cette invention concerne en outre un procédé de production de carbure de silicium monocristallin. Le procédé de fixation d'un germe cristallin de carbure de silicium concerne la fixation dudit germe à la surface d'un support. Ledit procédé est caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à brillanter la surface du support côté germe cristallin, une étape de bombardement, à laquelle la surface côté germe cristallin du support et/ou la surface côté support du germe cristallin de carbure de silicium est bombardée d'atomes ou d'ions sous vide, et une étape de liaison, à laquelle la surface côté germe cristallin du support et la surface côté support du germe cristallin de carbure de silicium sont mises en contact serré sous vide puis poussées l'une contre l'autre pour relier directement le support au germe cristallin.
(JA)貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 本発明の炭化珪素種結晶の固定方法は、台座上に炭化珪素種結晶を固定する方法であって、前記台座の種結晶側表面を鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座の種結晶側表面及び前記炭化珪素種結晶の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座の種結晶側表面と前記炭化珪素種結晶の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)