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1. (WO2011108508) 光変調器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108508    国際出願番号:    PCT/JP2011/054563
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 01.03.2011
IPC:
G02F 1/025 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIKATA, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITOH, Motofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIDA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TODA, Akio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJIKATA, Junichi; (JP).
SAITOH, Motofumi; (JP).
USHIDA, Jun; (JP).
TODA, Akio; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2010-049175 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) OPTICAL MODULATOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF MODULATEUR OPTIQUE
(JA) 光変調器
要約: front page image
(EN)Provided is an optical modulator device capable of easily connecting to a waveguide and capable of being downsized and conserving power. A method of manufacturing the optical modulator device is also provided. The optical modulator device at least comprises: a semiconductor layer (8) which has a rib shaped portion and is doped so as to exhibit a first conductivity type; a dielectric layer (11) which is laminated onto the first conductivity type semiconductor layer (8); and a semiconductor layer (9) which is doped so as to exhibit a second conductivity type, and is laminated onto the dielectric layer (11) such that the width opposite the dielectric layer (11) is larger than that of the rib shaped portion.
(FR)La présente invention concerne un dispositif modulateur optique pouvant facilement être connecté à un guide d'ondes et dont il est possible de réduire la taille sans réduire la puissance. La présente invention concerne également un procédé de fabrication du dispositif modulateur optique. Le dispositif modulateur optique comprend au moins : une couche semi-conductrice (8) dont une partie a une forme de nervure, et qui est dopée de façon à présenter un premier type de conductivité ; une couche diélectrique (11) qui est stratifiée sur la couche semi-conductrice (8) d'un premier type de conductivité ; et une couche semi-conductrice (9) qui est dopée de façon à présenter un second type de conductivité, et qui est stratifiée sur la couche diélectrique (11) d'une manière telle que la largeur en regard de la couche diélectrique (11) est supérieure à celle de la partie en forme de nervure.
(JA) 小型化及び省電力化し、かつ導波路との接続を容易に行うことができる、光変調器とその製造方法を提供する。本発明の光変調器は、リブ形状部を有し、第1導電型を呈するようにドープ処理された半導体層(8)と、第1導電型の半導体層(8)に積層された誘電体層(11)と、誘電体層(11)に積層され、誘電体層(11)とは反対側の幅が、リブ形状部の幅よりも大きい、第2導電型を呈するようにドープ処理された半導体層(9)とを少なくとも有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)