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1. (WO2011108456) 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108456    国際出願番号:    PCT/JP2011/054303
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 25.02.2011
IPC:
H01L 21/314 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION [JP/JP]; 3-26, Koyama 1-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1428558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Tri Chemical Laboratories Inc. [JP/JP]; 8154-217, Uenohara, Uenohara-shi, Yamanashi 4090112 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIMIZU Hideharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGANO Shuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHASHI Yoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KADA Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGAWARA Hisakatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIMIZU Hideharu; (JP).
NAGANO Shuji; (JP).
OHASHI Yoshi; (JP).
KADA Takeshi; (JP).
SUGAWARA Hisakatsu; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2010-044263 01.03.2010 JP
発明の名称: (EN) INTER-LOW-PERMITTIVITY LAYER INSULATING FILM, AND METHOD FOR FORMING INTER-LOW-PERMITTIVITY LAYER INSULATING FILM
(FR) FILM ISOLANT À COUCHE D'INTER-PERMITTIVITÉ BASSE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(JA) 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an inter-low-permittivity layer insulating film which is formed by means of the plasma CVD method, contains at least carbon and silicon, and has a carbon to silicon ratio of 2.5 or more and a relative permittivity of 3.8 or less. Also disclosed is a method for forming an inter-low-permittivity layer insulating film which involves a step for forming an insulating film material containing at least carbon and silicon into a film by means of the plasma CVD method, wherein the aforementioned insulating film material has a carbon to silicon ratio of 2.5 or more and a relative permittivity of 3.8 or less without using hydrocarbon when said insulating film material is used to form an inter-low-permittivity layer insulating film.
(FR)La présente invention concerne un film isolant à couche d'inter-permittivité basse qui est formé au moyen du procédé de dépôt en phase vapeur amélioré par plasma (CVD plasma), contient au moins du carbone et du silicium et présente un rapport carbone sur silicium de 2,5 ou plus et une permittivité relative de 3,8 au moins. La présente invention concerne également un procédé destiné à former un film isolant à couche d'inter-permittivité basse qui implique une étape pour former un matériau de film isolant contenant au moins du carbone et du silicium en un film au moyen du procédé CVD plasma, dans lequel le matériau de film isolant susmentionné présente un rapport carbone sur silicium de 2,5 ou plus et une permittivité relative de 3,8 au moins sans utiliser d'hydrocarbures lorsque ledit matériau de film isolant est employé pour former un film isolant à couche d'inter-permittivité basse.
(JA) 本発明の低誘電率層間絶縁膜は、プラズマCVD法によって形成され、少なくとも炭素と珪素を含み、珪素に対する炭素の比率が2.5以上であり、かつ比誘電率が3.8以下である。また、本発明の低誘電率層間絶縁膜の成膜方法は、プラズマCVD法によって少なくとも炭素と珪素を含む絶縁膜材料を成膜する工程を有し、前記絶縁膜材料として炭化水素を用いず、成膜された低誘電率層間絶縁膜において、珪素に対する炭素の比率が2.5以上であり、かつ比誘電率が3.8以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)