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1. (WO2011108436) 半導体装置及び半導体装置用接合材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108436    国際出願番号:    PCT/JP2011/054133
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 24.02.2011
予備審査請求日:    31.10.2011    
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), B23K 35/28 (2006.01), C22C 18/00 (2006.01)
出願人: OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGANUMA Katsuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIM Seongjun [KR/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGANUMA Katsuaki; (JP).
KIM Seongjun; (JP)
代理人: MAEI Hiroyuki; 6th Fl. Kotera Plaza, 2-5-23, Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2010-043666 01.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND BONDING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET MATÉRIAU DE COLLAGE POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び半導体装置用接合材
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device (100) comprising a semiconductor member (120) laminated on a substrate (110), wherein the semiconductor member (120) and the substrate (110) are bonded to each other through a semiconductor device bonding material (130) containing zinc as the main component. A coat layer for preventing the diffusion of the semiconductor device bonding material (130) is provided on at least one of the surface of the substrate (110) and the surface of the semiconductor member (120). The coat layer (140) is composed of a barrier layer (141) comprising a nitride, a carbide or a carbonitride and a protective layer (142) comprising a noble metal, wherein the barrier layer (141) and the protective layer (142) are laminated on each other. The nitride, the carbide or the carbonitride that constitutes the barrier layer (141) is so selected as to have a free energy smaller than the free energy of a substance that constitutes an insulating layer (111) formed on the substrate (110).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (100) comprenant un élément semi-conducteur (120) laminé sur un substrat (110), l'élément semi-conducteur (120) et le substrat (110) étant collés l'un sur l'autre par un matériau de collage pour dispositif semi-conducteur (130) contenant du zinc comme composant principal. Une couche de recouvrement destinée à empêcher la diffusion du matériau de collage pour dispositif semi-conducteur (130) est appliquée sur au moins l'une des surfaces du substrat (110) et de l'élément semi-conducteur (120). La couche de recouvrement (140) est composée d'une couche barrière (141) comprenant un nitrure, un carbure ou un carbonitrure, et d'une couche de protection (142) comprenant un métal noble, la couche barrière (141) et la couche de protection (142) étant colaminées l'une sur l'autre. Le nitrure, le carbure ou le carbonitrure qui constituent la couche barrière (141) sont sélectionnés de manière à avoir une énergie libre qui est inférieure à l'énergie libre d'une substance qui constitue une couche isolante (111) formée sur le substrat (110).
(JA) 本発明による基板110に半導体部材120を積層した半導体装置100は、半導体部材120と基板110とは亜鉛を主成分とする半導体装置用接合材130を介して接合されている。また、基板110の表面および半導体部材120の表面の少なくとも一方に半導体装置用接合材130の拡散を防ぐコート層が設けられている。また、コート層140は、窒化物、炭化物または炭窒化物からなるバリア層141と、貴金属からなる保護層142とを積層して構成される。更に、バリア層141を構成する窒化物、炭化物または炭窒化物は、基板110に設けられた絶縁層111を構成する物質が有する自由エネルギーよりも小さい自由エネルギーを有するように選択される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)