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1. (WO2011108359) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108359    国際出願番号:    PCT/JP2011/053324
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 17.02.2011
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNO Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIURA Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ONO Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEMURA Riichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI Hiromasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHNO Hideo; (JP).
IKEDA Shoji; (JP).
MIURA Katsuya; (JP).
ONO Kazuo; (JP).
TAKEMURA Riichiro; (JP).
TAKAHASHI Hiromasa; (JP)
代理人: HIRAKI Yusuke; Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232 (JP)
優先権情報:
2010-049562 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À ACCÈS ALÉATOIRE
(JA) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
要約: front page image
(EN)In order to optimize the relationship between the drive current of a select transistor of a magnetic memory, and the magnetic inversion threshold current of a magnetoresistive effect element (101), the recording layer of the magnetoresistive effect element is provided with mechanisms (601 to 604) which apply a magnetic field inverse to that of a fixed layer, in order to reduce the magnetic inversion threshold current when writing "1".
(FR)Afin d'optimiser la relation entre le courant d'attaque d'un transistor de sélection d'une mémoire magnétique et le courant de seuil d'inversion magnétique d'un élément à effet magnétorésistif (101), la couche d'enregistrement de l'élément à effet magnétorésistif est pourvue de mécanismes (601 à 604) qui appliquent un champ magnétique inverse de celui d'une couche fixe, afin de réduire le courant de seuil d'inversion magnétique lors de l'écriture du « 1 ».
(JA) 磁気メモリの選択トランジスタの駆動電流と磁気抵抗効果素子の磁化反転閾値電流の関係を最適化する。 磁気メモリセルの選択トランジスタの駆動電流と磁気抵抗効果素子101の磁化反転閾値電流の関係を最適化するため、「1」書込み時の磁化反転閾値電流を下げるための、磁気抵抗効果素子の記録層に、固定層と逆向きの磁場を印加する機構601~604を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)