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1. (WO2011108313) ソレノイド駆動回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108313    国際出願番号:    PCT/JP2011/051659
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 27.01.2011
IPC:
H01F 7/18 (2006.01), F16K 31/06 (2006.01)
出願人: CKD CORPORATION [JP/JP]; 250,Ouji 2-chome,Komaki-shi, Aichi 4858551 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKUCHI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUNO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIKUCHI, Hiroshi; (JP).
MIZUNO, Hiroyuki; (JP)
代理人: YAMADA, Tsuyoshi; Daiichi Hasegawa Bldg.6F,13-24,Meieki 3-chome,Nakamura-ku,Nagoya-shi, Aichi 4500002 (JP)
優先権情報:
2010-048622 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SOLENOID DRIVE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ACTIONNEMENT DE SOLÉNOÏDE
(JA) ソレノイド駆動回路
要約: front page image
(EN)Provided is a solenoid drive circuit for suppressing a response delay caused by a surge voltage. The solenoid drive circuit (10) is provided with: a solenoid coil (11) which performs a plunger suction-attachment operation; a bidirectional Zener diode (40) which is connected in parallel to the solenoid coil (11) and absorbs, up to a Zener voltage, the surge voltage generated when the power supplied to the solenoid coil (11) is stopped; and a holding transistor (32) which is connected in series to the solenoid coil (11) and the bidirectional Zener diode (40). When a power supply voltage is applied, the holding transistor (32) turns on and a conduction path for the solenoid coil (11) is thereby formed. In this structure, the surge voltage reduced to the Zener voltage by the bidirectional Zener diode (40) is applied to the holding transistor (32).
(FR)L'invention concerne un circuit d'actionnement de solénoïde permettant de supprimer u retard de réponse dû à une surtension. Le circuit d'actionnement de solénoïde (10) comprend : une bobine de solénoïde (11) qui effectue une opération d'aspiration-fixation de piston ; une diode Zener bidirectionnelle (40) qui est connectée en parallèle à la bobine de solénoïde (11) et absorbe, jusqu'à une tension Zener, la surtension générée lorsque l'électricité envoyée à la bobine de solénoïde (11) est interrompue ; et un transistor de maintien (32) qui est connecté en série à la bobine de solénoïde (11) et à la diode Zener bidirectionnelle (40). Lorsqu'une tension d'alimentation est appliquée, le transistor de maintien (32) se met en marche et un trajet de conduction pour la bobine de solénoïde (11) est ainsi formé. Dans cette structure, la surtension réduite à la tension Zener par la diode Zener bidirectionnelle (40) est appliquée au transistor de maintien (32).
(JA) サージ電圧に起因する応答遅れを抑制するソレノイド駆動回路を提供すること。 ソレノイド駆動回路10は、プランジャ吸着動作を行わせるソレノイドコイル11と、当該ソレノイドコイル11に対して並列に接続され、ソレノイドコイル11への通電が停止した場合に発生するサージ電圧をツェナ電圧まで吸収する双方向ツェナダイオード40と、これらソレノイドコイル11及び双方向ツェナダイオード40に対して直列に接続された保持トランジスタ32と、を備えている。電源電圧が印加されている場合、保持トランジスタ32がオンとなることでソレノイドコイル11の通電経路が形成される。かかる構成において、双方向ツェナダイオード40によってツェナ電圧にまで下げられたサージ電圧は保持トランジスタ32に対して印加されるように構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)