WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011108280) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108280    国際出願番号:    PCT/JP2011/001280
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 04.03.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ONO, Katsuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRAYAMA, Yusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATOH, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ONO, Katsuyuki; (JP).
HIRAYAMA, Yusuke; (JP).
HATOH, Hideyuki; (JP)
代理人: SAKURA PATENT OFFICE, p.c.; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010046 (JP)
優先権情報:
2010-049833 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing a semiconductor device wherein it is possible to miniaturize by vertically forming a hole, to reduce the number of steps compared to those in the prior art, and to improve productivity. Specifically, provided is a method for producing a semiconductor device which involves: a hole forming step in which a hole is formed on a substrate; a polyimide film forming step in which a polyimide film is formed within the aforementioned hole; a plasma etching step in which the aforementioned substrate is subjected to anisotropic etching without using a mask to cover the polyimide film on the side wall section of the hole, and in which at least a portion of the polyimide film on the bottom section of the hole is removed and penetrated while retaining the polyimide film on the side wall section of the hole; and a conductive metal filling step in which a conductive metal is filled into the hole.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permet une miniaturisation par la formation d'un trou vertical, une réduction du nombre d'étapes par rapport aux procédés antérieurs, et une amélioration de la productivité. Le procédé spécifiquement décrit consiste à former un trou sur un substrat, déposer un film de polyimide à l'intérieur de ce trou, soumettre le substrat à une gravure plasma anisotrope sans utiliser de masque pour recouvrir le film de polyimide sur la section de paroi latérale du trou, au moins une partie du film de polyimide sur la section de fond du trou étant retirée et pénétrée tout en conservant le film de polyimide sur la section de paroi latérale du trou, et remplir le trou avec un métal conducteur.
(JA) ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)