WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011108189) SOIウェーハの設計方法及び製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108189    国際出願番号:    PCT/JP2011/000607
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 03.02.2011
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUWABARA, Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUWABARA, Susumu; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2010-047897 04.03.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING AND METHOD FOR DESIGNING SOI WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION DE PLAQUETTE DE SILICIUM SUR ISOLANT
(JA) SOIウェーハの設計方法及び製造方法
要約: front page image
(EN)The disclosed method for producing an SOI wafer—which is used in a device fabrication step or inspection step having a step for radiating light of wavelength λ onto the SOI wafer wherein an SOI layer has been formed on a buried insulator layer and that performs position control of the SOI wafer on the basis of the strength of light reflected from the SOI wafer—has at least: a step for designing the thickness of the buried insulator layer of the SOI wafer in accordance with the wavelength (λ) of light used in the step for performing position control of the SOI wafer after production; and a step for fabricating the SOI wafer wherein an SOI layer has been formed on the buried insulator layer of the designed thickness. As a result, a method for producing and a method for designing and SOI wafer are provided that can suppress variations in reflectance of light that accompany variations in SOI-layer thickness, increasing the accuracy of position control of the SOI wafer, and that can have a shared mechanism with that for position control used in a device fabrication step or inspection step of a bulk silicon wafer, reducing costs.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'une plaquette de silicium sur isolant qui est utilisé au cours d'une étape consistant à fabriquer un dispositif ou au cours d'une étape d'inspection pourvu d'une étape consistant à rayonner de la lumière d'une longueur d'onde λ sur la plaquette de silicium sur isolant, une couche de silicium sur isolant ayant été formée sur une couche d'isolant enterrée, et qui effectue un contrôle de position de la plaquette de silicium sur isolant sur la base de la résistance de la lumière réfléchie à partir de la plaquette de silicium sur isolant. Ledit procédé de production d'une plaquette de silicium sur isolant comprend au moins : une étape consistant à concevoir l'épaisseur de la couche d'isolant enterrée de la plaquette de silicium sur isolant en fonction de la longueur d'onde (λ) de la lumière utilisée au cours de l'étape consistant à effectuer un contrôle de position de la plaquette de silicium sur isolant après la production ; et une étape consistant à fabriquer la plaquette de silicium sur isolant, une couche de silicium sur isolant ayant été formée sur la couche d'isolant enterrée de l'épaisseur conçue. En conséquence de quoi, la présente invention a trait à un procédé de production et à un procédé de conception d'une plaquette de silicium sur isolant qui peuvent supprimer les variations de coefficient de réflexion de la lumière qui accompagnent les variations de l'épaisseur de la couche de silicium sur isolant, ce qui permet d'augmenter la précision du contrôle de position de la plaquette de silicium sur isolant, et qui peuvent avoir un mécanisme partagé avec celui du contrôle de position utilisé au cours de l'étape consistant à fabriquer un dispositif ou au cours d'une étape d'inspection d'une plaquette de silicium non épitaxié, ce qui permet de réduire les coûts.
(JA) 本発明は、埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハに波長λの光を照射し、SOIウェーハからの反射光の強度に基づいてSOIウェーハの位置制御を行う工程を有するデバイス作製工程または検査工程で用いるSOIウェーハの製造方法であって、少なくとも、製造後のSOIウェーハに行われる位置制御を行う工程で用いる光の波長λに応じて、SOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さを設計する工程と、設計した厚さの埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハを作製する工程とを有するSOIウェーハの製造方法である。これにより、SOI層膜厚変動に伴う光の反射率の変動を抑制してSOIウェーハの位置制御の精度を向上することができ、また、バルクシリコンウェーハのデバイス作製工程または検査工程で使用している位置制御のための機構と共用してコストを削減できるSOIウェーハの設計方法及び製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)