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1. (WO2011108178) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108178    国際出願番号:    PCT/JP2011/000165
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 14.01.2011
IPC:
H01L 27/11 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), G03F 1/36 (2012.01), G03F 1/70 (2012.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAMARU, Masaki; (米国のみ)
発明者: TAMARU, Masaki;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-049052 05.03.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein, with respect to the end portions of gate patterns (21, 22) disposed parallel to each other, and the facing end portions of the gate patterns (23, 24) disposed parallel to each other, the end portion of the gate pattern (21) protrudes more toward the gate patterns (23, 24) compared with the end portion of the gate pattern (22), and the facing end portion of the gate pattern (24) protrudes more toward the gate patterns (21, 22) compared with the facing end portion of the gate pattern (23). The correction quantity of the end portion of the receded gate pattern (22) and that of the facing end portion of the receded gate pattern (23) can be set large to such an extent that further recession is not generated in the finished shape.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur dans lequel, au niveau de parties extrémité de motifs de grille (21, 22) disposés parallèlement l'un à l'autre et des parties extrémité opposées des motifs de grille (23, 24) disposés parallèlement l'un à l'autre, la partie extrémité du motif de grille (21) fait plus saillie en direction des motifs de grille (23, 24) que la partie extrémité du motif de grille (22) et la partie extrémité opposée du motif de grille (24) fait plus saillie en direction des motifs de grille (21, 22) que la partie extrémité opposée du motif de grille (23). La quantité de correction de la partie extrémité du motif de grille (22) en retrait et celle de la partie extrémité opposée du motif de grille (23) en retrait peuvent être suffisamment grandes pour qu'on n'ait pas d'amplification du retrait à l'état fini.
(JA) 並列に並ぶゲートパターン(21,22)の端部と、並列に並ぶゲートパターン(23,24)の対向端部とにおいて、ゲートパターン(21)の端部はゲートパターン(22)の端部よりもゲートパターン(23,24)の方に突き出ており、ゲートパターン(24)の対向端部はゲートパターン(23)の対向端部よりも、ゲートパターン(21,22)の方に突き出ている。引っ込んでいる方の、ゲートパターン(22)の端部およびゲートパターン(23)の対向端部について、仕上がり形状において後退が生じない程度に、補正量を大きく設定することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)