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1. (WO2011108116) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108116    国際出願番号:    PCT/JP2010/053672
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 05.03.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: OKANO Ken [JP/JP]; (JP).
MIYAZAKI Wataru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ONISHI Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO Ichitaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA Takatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKANO Ken; (JP).
MIYAZAKI Wataru; (JP).
ONISHI Masanori; (JP).
SAITO Ichitaro; (JP).
YAMADA Takatoshi; (JP)
代理人: YAGI Hidehito; AOBA INTERNATIONAL PATENT &TRADEMARK Stork Building Hongoku 5F, 3-2-6, Nihonbashi Hongoku-cho, Chuo-ku Tokyo 1030021 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLAR CELL
(FR) PHOTOPILE
(JA) 太陽電池
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solar cell of an ultraviolet ray blocking glass type, which allows the transmission of visible light while retaining satisfactory ultraviolet ray blocking properties and is applicable to light having a wavelength ranging from the ultraviolet region to the infrared region. In the solar cell (20), a p-type semiconductor layer (24) comprising a mixture of amorphous selenium (a-Se) and arsenic selenide (As2Se3) is formed on a substrate (22), and an n-type semiconductor layer (26) doped with chlorine is formed on the p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is formed by, for example, depositing amorphous selenium and arsenic selenide on the substrate while rotating the substrate. The n-type semiconductor layer is formed by the electrolysis of an aqueous sodium chloride solution using the p-type semiconductor layer as an anode to dope one surface of the p-type semiconductor layer with chlorine (Cl). The solar cell is attached to a window glass (28) or the like in use.
(FR)L'invention porte sur une photopile, de type en verre bloquant les rayons ultraviolets, qui permet la transmission de lumière visible tout en conservant des propriétés de blocage des rayons ultraviolets satisfaisantes et qui est applicable à de la lumière ayant une longueur d'onde allant de la région de l'ultraviolet à la région de l'infrarouge. Dans la photopile (20), une couche en semi-conducteur de type p (24) comportant un mélange de sélénium amorphe (a-Se) et de séléniure d'arsenic (As2Se3) est formée sur un substrat (22) et une couche en semi-conducteur de type n (26) dopée par du chlore est formée sur la couche en semi-conducteur de type p. La couche en semi-conducteur de type p est formée, par exemple par dépôt de sélénium amorphe et de séléniure d'arsenic sur le substrat tout en faisant tourner le substrat. La couche en semi-conducteur de type n est formée par l'électrolyse d'une solution aqueuse de chlorure de sodium utilisant la couche en semi-conducteur de type p comme anode pour doper une surface de la couche en semi-conducteur de type p par du chlore (Cl). La photopile est fixée à un verre à vitre (28) ou autre lors de son utilisation.
(JA)【課題】充分な紫外線カット特性を有しながら可視光を透過させ、紫外域から赤外域に及ぶ範囲の光にも対応可能な紫外線カットガラス型の太陽電池を提供する。 【解決手段】この太陽電池(20)は、基板(22)上にアモルファスセレン(a-Se)とセレン化砒素(AsSe)の混合したp型半導体層(24)を形成し、p型半導体層上に塩素の添加されたn型半導体層(26)を形成している。p型半導体層は、回転する基板上にアモルファスセレンとセレン化砒素を例えば蒸着させることで形成する。n型半導体層は、p型半導体層を陽極として塩化ナトリウム水溶液を電気分解することで、p型半導体層の一面側に塩素(Cl)を添加して形成する。この太陽電池は、例えば窓ガラス(28)に貼り付けて使用する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)