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1. (WO2011108063) 化合物半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108063    国際出願番号:    PCT/JP2010/053258
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 01.03.2010
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H03F 1/32 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMADA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMADA, Atsushi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 化合物半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an AlGaN/GaN·HEMT which has a configuration wherein: compound semiconductor layers (2, 3, 4) are formed on a substrate (1); a gate electrode (15), a gate pad (20) that forms a current path together with the gate electrode (15), and a semiconductor layer (6a) that exhibits spontaneous polarization and piezoelectric polarization are formed on the compound semiconductor layer (4); a gate electrode connection layer (8) is formed on the semiconductor layer (6a), and the gate electrode connection layer (8) and the gate electrode (15) are electrically connected with each other; and a gate pad connection layer (7) is formed in a region on the compound semiconductor layer (4) where the semiconductor layer (6a) is not formed, and the gate pad connection layer (7) and the gate pad (20) are electrically connected with each other. Due to this relatively simple configuration, a desired normally-off operation can be achieved without causing any problems such as increase in the sheet resistance, increase in the on-resistance and increase in the leakage current.
(FR)L'invention concerne un HEMT AlGaN/GaN qui présente une configuration dans laquelle : des couches semi-conductrices composites (2, 3, 4) sont formées sur un substrat (1) ; une électrode de grille (15), une pastille de grille (20), qui forme un trajet de courant avec l'électrode de grille (15), et une couche semi-conductrice (6a), qui présente une polarisation spontanée et une polarisation piézoélectrique, sont formées sur la couche semi-conductrice composite (4) ; une couche de connexion d'électrode de grille (8) est formée sur la couche semi-conductrice (6a), et la couche de connexion d'électrode de grille (8) et l'électrode de grille (15) sont connectées électriquement l'une à l'autre, et une couche de connexion de pastille de grille (7) est formée dans une région de la couche semi-conductrice composite (4) dans laquelle la couche semi-conductrice (6a) n'est pas formée, et la couche de connexion de pastille de grille (7) et la pastille de grille (20) sont connectées électriquement l'une à l'autre. En raison de cette configuration relativement simple, il est possible d'obtenir le fonctionnement normalement bloqué voulu sans entraîner de problèmes tels qu'une augmentation de la résistance carrée, une augmentation de la résistance passante et une augmentation du courant de fuite.
(JA) 基板(1)上に化合物半導体層(2,3,4)が形成され、化合物半導体層(4)上に、ゲート電極(15)と、ゲート電極(15)との間で電流経路が形成されるゲートパッド(20)と、自発分極及びピエゾ分極する半導体層(6a)が形成され、半導体層(6a)上にゲート電極接続層(8)とが形成されて、ゲート電極接続層(8)とゲート電極(15)とが電気的に接続され、また、化合物半導体層(4)上の半導体層(6a)の非形成領域にゲートパッド接続層(7)が形成されて、ゲートパッド接続層(7)とゲートパッド(20)とが電気的に接続されてAlGaN/GaN・HEMTが構成されており、この構成により、比較的簡素な構成で、シート抵抗及びオン抵抗の増大、リーク電流の増加等の不都合を生ぜしめることなく、所期のノーマリ・オフを実現することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)