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1. (WO2011108033) 化合物薄膜太陽電池及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/108033    国際出願番号:    PCT/JP2010/001581
国際公開日: 09.09.2011 国際出願日: 05.03.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA, Naoyuki; (米国のみ).
SAKURADA, Shinya; (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA, Naoyuki; .
SAKURADA, Shinya;
代理人: MATSUYAMA, Masayuki; No. 403 Ginyou Bldg., 9-40, Kitasaiwai 2-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2200004 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) COMPOUND THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PHOTOPILE EN COUCHES MINCES COMPOSITE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 化合物薄膜太陽電池及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a highly-efficient compound thin film solar cell in which a light absorption layer (14) is adjusted to have the most suitable band gap for light absorption by controlling the crystal particle size thereof, and a method for manufacturing the same. Specifically provided is a compound thin film solar cell characterized by being provided with at least a substrate (11), a back surface electrode (12) provided on the substrate (11), a first extraction electrode (13) provided on the back surface electrode (12), a light absorption layer (14) provided on the back surface electrode (12) and including a compound semiconductor thin film represented by Cu(Al1-x-yGaxIny)(Te1-a-bSeaSb)2 (where 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤x+y≤1, 0≤a+b≤1), a buffer (15) provided on the light absorption layer (14), a transparent electrode layer (16) provided on the buffer layer (15), and a second extraction electrode (17) provided on the transparent electrode layer (16), and the mean crystal particle size of the compound semiconductor thin film is 1-100 nm.
(FR)L'invention porte sur une photopile en couches minces composite qui est extrêmement efficace et dans laquelle une couche d'absorption de lumière (14) est ajustée afin d'obtenir la bande d'énergie interdite la plus appropriée pour l'absorption de lumière en régulant la taille de ses particules cristallines, ainsi que sur son procédé de fabrication. Plus précisément, l'invention porte sur une photopile en couches minces composite qui est caractérisée en ce qu'elle est pourvue d'au moins un substrat (11), d'une électrode de surface arrière (12) disposée sur le substrat (11), d'une première électrode d'extraction (13) disposée sur l'électrode de surface arrière (12), d'une couche d'absorption de lumière (14) disposée sur l'électrode de surface arrière (12) et comprenant une couche mince de semi-conducteur composite représentée par Cu(Al1-x-yGaxIny)(Te1-a-bSeaSb)2 (où 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤1 , 0 ≤ a ≤ 1, 0 ≤ b ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1, 0 ≤ a + b ≤ 1), d'un tampon (15) disposé sur la couche d'absorption de lumière (14), d'une couche électrode transparente (16) disposée sur la couche tampon (15) et d'une seconde électrode d'extraction (17) disposée sur la couche électrode transparente (16) et en ce que la taille moyenne des particules cristallines de la couche mince de semi-conducteur composite est de 1 à 100 nm.
(JA) 光吸収層14の結晶粒径を制御することで、光吸収に最適なバンドギャップに調整した高効率な化合物薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。 基板11と、前記基板11上に設けられた裏面電極12と、前記裏面電極12上に設けられた第1の取り出し電極13と、前記裏面電極12上に設けられたCu(Al1-x-yGaIn)(Te1-a-bSe)で表された化合物半導体薄膜を含有する光吸収層14(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦x+y≦1、0≦a+b≦1を満たす)と、前記光吸収層14上に設けられたバッファー15と、前記バッファー層15上に設けられた透明電極層16と、前記透明電極層16上に設けられた第2の取り出し電極17とを少なくとも備え、前記化合物半導体薄膜の平均結晶粒径が、1nm以上100nm以下であることを特徴とする化合物薄膜太陽電池。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)